128 90

[WIKIPEDIA- w ramach przypomnienia def. Pamięci półprzewodnikowej]

Pamięć półprzewodnikowa - rodzaj pamięci będącej cyfrowym układem scalonym i przechowującej informacje w postaci binarnej. Zaliczamy do niej m.in. pamięć RAM i ROM. Pamięci te są jednymi z podstawowych stosowanych w komputerach PC.

Punktem pamięci półprzewodnikowej statycznej jest przerzutnik SR, zbudowany w oparciu o technologię bipolarną lub unipolarną. Zasada działania takiej pamięci polega na podaniu sygnału jedynki logicznej na odpowiednią linię słowa zapisu (lub odczytu) oraz sygnału "1" lub "0" na linię bitu zapisywanego (odczytywanego). W odróżnieniu od pamięci statycznej, pamięć dynamiczna wymaga dodatkowego działania, jakim jest odświeżanie.

Pamięci półprzewodnikowe mają organizację określoną jako:

n ·m

„n” oznacza tutaj wielkość pamięci (np. 16, 256, 1024)

„m” liczbę bitów dostępnych po zaadresowaniu pojedynczej komórki (m = l, 4 lub 8).

Parametry:

  1. Trwałość przechowywanej informacji

1a) ulotne

1b) nieulotne

  1. sposób adresowania

2a) adresowanie poszczególnych bajtów lub słów

2b) bezadresowe (np. pamięci FIFO)

2c) adresowanie zawartością, asocjacyjne

  1. Liczba magistral

3a) jednobramowe, jednodostępne

3b) wielobramowe, wielodostępne

  1. Sposób wprowadzania i wyprowadzania informacji

4a) równoległe

4b) szeregowe

4c) szeregowo-równoległe

  1. Rodzaj synchronizacji

5a) asynchroniczne

5b) synchroniczne

  1. Organizacja wewnętrzna

6a) liczba matryc

6b) rozmiar matrycy

6c) liczba bitów pamiętana w pojedynczej komórce

129. Omów budowę zasadę działania komórki pamięci DRAM.
Pamięć operacyjna (DRAM) jest przestrzenią roboczą mikroprocesora przechowującą otwarte pliki systemu operacyjnego, uruchomione programy oraz efekty ich działania. Wymianą informacji pomiędzy mikroprocesorem a pamięcią operacyjną steruje kontroler pamięci, do niedawna był częścią chipsetu płyty głównej, a obecnie jest zintegrowany z CPU. Zależnie od budowy rozróżniamy dwa typy pamięci RAM:

DRAM,

SRAM.

DRAM (Dynamic RAM) – zbudowana na bazie tranzystorów i kondensatorów.

Pojedyncza komórka pamięci składa się z kondensatora i tranzystora sterującego

procesem kondensacji. Kondensator naładowany przechowuje bitowa jedynkę,

rozładowany to binarne zero. Budowa matrycowa, czyli aby odwołać się do konkretnej

komórki należy podać adres wiersza i komórki

Pamięć wytwarzana w procesie fotolitografii. Niewielka złożoność pojedynczej

komórki pozwala budować pamięci o dużej gęstości, niewielkich rozmiarach i dobrym

stosunku ceny do pojemności.

Zaleta – duża pojemność, niska cena

Wada – potrzeba odświeżania jej zawartości, spowodowana zjawiskiem

rozładowywania się kondensatorów(upływność). W efekcie kondensatory trzeba co

jakiś czas doładować (stąd nazwa „pamięć dynamiczna”). Podczas procesu

odświeżania nie można zapisywać ani odczytywać z pamięci danych, co powoduje

ogólne spowolnienie pracy. Parametry pamięci DRAM określające wydajność („t” pochodzi od time):

Im mniejsze są te wartości, tym szybszy dostęp do komórek pamięci!

130. Wyjaśnij korzystając z modelu pasmowego materiału półprzewodnikowego proces rekombinacji promienistej prowadzący do spontanicznej emisji światła.

Rekombinacja – w fizyce to połączenie się pary cząstek lub jonów o przeciwnych ładunkach elektrycznych, jest to proces odwrotny do jonizacji. Zjawisku rekombinacji jonu dodatniego i elektronu towarzyszy uwolnienie nadwyżki energii elektronu, zazwyczaj przez wypromieniowanie fotonu. W półprzewodnikach zachodzą dwa mechanizmy rekombinacji par dziura-elektron:

  1. Rekombinacja bezpośrednia polega na przechodzeniu elektronów z pasma przewodnictwa na jeden z wolnych stanów w paśmie walencyjnym, wskutek czego znika elektron z pasma przewodnictwa i dziura z pasma walencyjnego. Uwolniona w tym procesie energia jest emitowana w postaci fotonu (rekombinacja promienista) albo przekazywana innemu nośnikowi (efekt Augera) w trakcie rekombinacji niepromienistej.

  2. Rekombinacja pośrednia jest to proces, w którym przejście elektronu z pasma przewodnictwa do pasma walencyjnego odbywa się w dwóch etapach, elektron przechodzi przez stany kwantowe w przerwie energetycznej wynikające z defektów sieci krystalicznej, nazywanych pułapkami. Zjawisko rekombinacji pośredniej zostało opisane przez W. Shockley’a, W.T. Reada oraz R.N. Halla, i nosi nazwę rekombinacji SRH (Shockley-Read-Hall).

Przy dużych koncentracjach domieszek, powyżej 1019 cm−3, zaczyna być decydująca rekombinacja Augera. Rekombinacja Augera występuje równocześnie zarówno w rekombinacji bezpośredniej, jak i pośredniej. Energia wytrącona w procesie zjawiska Augera zostaje przekazana elektronowi w paśmie przewodnictwa lub dziurze w paśmie walencyjnym. Nośniki te jednak tracą energię w wyniku oddziaływania z siecią krystaliczną, co towarzyszy generacji fononów.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
9
9
128 129id 14198 Nieznany (2)
9
9
127 128
Tekst ze str 0
Akumulator do HAKO00 D00 D00 D00 D
Witryna w Internecie – zasady tworzenia i funkcjonowania odpowiedzi na0
str0 1
Akumulator do AVTO T`0`4 T`0`4
T0
str0 1
9
Akumulator do BOLINDERS VOLVO Others S?0 S00
str0 1
Opisz budowę i zasadę działania zwalniacza w autobusie na0 i?R
Akumulator do FIAT AGRI?0?5?0?0C?0DT?0?5?0?0C
Akumulator do JCB?0 Serie?2 MINI

więcej podobnych podstron