tranzystor bipolarny

SPRAWOZDANIE Z ĆWICZENIA LABORATORYJNEGO

Politechnika Śląska w Gliwicach

INSTYTUT METROLOGI, ELEKTRONIKI I AUTOMATYKI

LABORATORIUM

PODSTAW ELEKTRONIKI

Wykonano:

22.05.2011r.

Oddano:

5.06.2011r.

  1. Układ pomiarowy

  1. Przebieg ćwiczenia

Wyznaczono metodą „punkt po punkcie” następujące charakterystyki tranzystora (BD139 i BC107B) pracującego w układzie ze wspólnym emiterem:

  1. Charakterystykę IC = f(UCE) dla trzech wartości prądu bazy IB = 40µA, 70 µA, 100 µA dla tranzystora BD139 oraz IB = 50 µA ,70 µA, 80 µA dla tranzystora BC139

  2. Charakterystykę UBE = f(UCE) dla w/w wartości prądu bazy

  3. Charakterystykę IC = f(IB) dla wartości napięcia UCE = 5V, 10 V

  4. Charakterystykę UBE = f(IB) dla w/w wartości napięcia UCE

Na podstawie wykreślonych charakterystyk wyznaczono wartości parametrów macierzy he dla wybranego punktu pracy na liniowej części charakterystyki.

  1. Tabele pomiarowe

  1. IC = f(UCE) oraz UBE = f(UCE) dla IB = 40µA

Ic [mA] UCE [V] UBE [V]
0 0,01 0,53
0,2 0,05 0,57
0,3 0,07 0,58
0,7 0,1 0,59
1,1 0,2 0,6
1,15 0,3 0,6
1,18 0,4 0,6
1,2 1 0,61
  1. IC = f(UCE) oraz UBE = f(UCE) dla IB = 70 µA

Ic [mA] UCE [V] UBE [V]
0 0 0,56
0,2 0,03 0,58
0,6 0,05 0,6
1,4 0,08 0,61
2,1 0,1 0,62
2,6 0,14 0,65
3,2 0,18 0,66
3,3 0,2 0,66
3,4 0,25 0,66
3,5 0,3 0,66
3,5 2 0,66
  1. IC = f(UCE) oraz UBE = f(UCE) dla IB =100 µA

Ic [mA] UCE [V] UBE [V]
0 0 0,58
0,04 0,03 0,6
1 0,05 0,61
1,9 0,07 0,63
3,3 0,1 0,64
4,8 0,13 0,65
5,6 0,16 0,66
6,1 0,2 0,66
6,2 0,25 0,66
6,3 2 0,66
  1. IC = f(IB) oraz UBE = f(IB) przy UCE = 5V

IC [mA] IB [mA] UBE [V]
0 0,03 0,57
0,4 0,04 0,58
2,1 0,06 0,62
4 0,08 0,64
5,8 0,1 0,66
7,7 0,12 0,67
9,3 0,14 0,67
11,4 0,16 0,68
13,2 0,18 0,69
15,8 0,2 0,7
18 0,22 0,7
20 0,25 0,71
  1. IC = f(IB) oraz UBE = f(IB) przy UCE = 10V

IC [mA] IB [mA] UBE [V]
0 0,02 0,58
1 0,04 0,59
2,6 0,06 0,62
4,4 0,08 0,64
5,6 0,1 0,64
7,7 0,12 0,65
9,3 0,14 0,66
12,1 0,16 0,67
14,6 0,18 0,68
16 0,2 0,68
19 0,22 0,69
20 0,25 0,69
  1. IC = f(UCE) oraz UBE = f(UCE) dla IB = 50µA

Ic [mA] UCE [V] UBE [V]
0 0 0,44
0,4 0,2 0,61
2,2 0,3 0,66
3 0,4 0,66
3,1 0,7 0,67
3,2 2 0,66
  1. IC = f(UCE) oraz UBE = f(UCE) dla IB = 70µA

Ic [mA] UCE [V] UBE [V]
0 0 0,48
0,6 0,15 0,62
2,4 0,2 0,66
5,3 0,25 0,68
6,7 0,28 0,69
7,7 0,32 0,69
8 0,36 0,7
8,1 0,42 0,7
8,3 2 0,71
  1. IC = f(UCE) oraz UBE = f(UCE) dla IB = 80µA

Ic [mA] UCE [V] UBE [V]
0 0 0,51
0,5 0,1 0,59
0,8 0,15 0,63
3,2 0,2 0,67
5,2 0,23 0,68
7,7 0,27 0,69
9,5 0,34 0,7
9,7 0,4 0,7
10,2 2 0,7
  1. IC = f(IB) oraz UBE = f(IB) przy UCE = 5V

IC [mA] IB [mA] UBE [V]
0 0,02 0,62
1,3 0,04 0,64
5,8 0,06 0,67
8,5 0,07 0,68
13,3 0,1 0,69
15 0,11 0,69
20 0,12 0,69
  1. IC = f(IB) oraz UBE = f(IB) przy UCE = 10V

IC [mA] IB [mA] UBE [V]
0 0,025 0,62
1,7 0,03 0,64
4,7 0,06 0,66
9,5 0,07 0,65
13,3 0,08 0,65
16,2 0,1 0,65
20 0,11 0,65
  1. Charakterystyki

a)charakterystyka wyjściowa IC = f(UCE) dla IB = 40µA, 70 µA, 100 µA

b)charakterystyka oddziaływania wstecznego UBE = f(UCE) dla IB = 40µA, 70 µA, 100 µA

c)charakterystyka wejściowa UBE = f(IB) dla UCE = 5V, 10V

d)charakterystyka przejściowa IC = f(IB) dla UCE = 5V, 10V

  1. charakterystyka wyjściowa IC = f(UCE) dla IB = 60µA, 70 µA, 80 µA

  2. charakterystyka oddziaływania wstecznego UBE = f(UCE) dla IB = 50µA, 70 µA, 80 µA

  3. charakterystyka wejściowa UBE = f(IB) dla UCE = 5V, 10V

  4. charakterystyka przejściowa IC = f(IB) dla UCE = 5V, 10V

  1. Obliczenie parametrów macierzy he


$$h_{11e} = \left. \ \frac{U_{\text{BE}}}{{I}_{B}} \right|U_{CE\ = 5V\ } = \frac{0,67V}{0,14mA} = 4,78k\mathrm{\Omega}$$


$$h_{12e} = \left. \ \frac{U_{\text{BE}}}{U_{\text{CE}}} \right|I_{B = 40uA} = \frac{0,6V}{0,3V} = 2$$


$$h_{21e} = \ \left. \ \frac{{I}_{c}}{I_{B}} \right|U_{CE = 5V} = \frac{9,3mA}{0,14mA} = 66,4$$


$$h_{22e} = \ \left. \ \frac{{I}_{c}}{{U}_{\text{CE}}} \right|I_{B = 40uA} = \frac{1,2mA}{0,3V} = 4 \times 10^{- 3}S$$


$$h_{11e} = \left. \ \frac{U_{\text{BE}}}{{I}_{B}} \right|U_{CE\ = 5V\ } = \frac{0,68V}{0,07\text{mA}} = 9,71k\mathrm{\Omega}$$


$$h_{12e} = \left. \ \frac{U_{\text{BE}}}{U_{\text{CE}}} \right|I_{B = 80uA} = \frac{0,7V}{0,34V} = 2,05$$


$$h_{21e} = \ \left. \ \frac{{I}_{c}}{I_{B}} \right|U_{CE = 5V} = \frac{8,5mA}{0,07mA} = 121,4$$


$$h_{22e} = \ \left. \ \frac{{I}_{c}}{{U}_{\text{CE}}} \right|I_{B = 80uA} = \frac{9,5mA}{0,34V} = 27,9 \times 10^{- 3}S$$

  1. Wnioski

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
F 1 Zasada działania tranzystora bipolarnego
90 Tranzystor bipolarny jako wzmacniacz
cw5 Tranzystor bipolarny
etr2 lab odpowiedzi na pytania do laborek z tranzystora bipolarnego, Mechatronika, 2 Rok
Układ zasilania tranzystorów bipolarnych
126 Budowa tranzystora bipolarnego
Tranzystor bipolarny-gac, Szkoła, Politechnika 1- 5 sem, SEM IV, Elektronika i Energoelektronika. La
Tranzystory Bipolarne, elektronika, stodia czyjeś
Badanie tranzystora bipolarnego
Omówić zakresy i konfiguracje pracy tranzystora bipolarnego bjt
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
Tranzystor bipolarny?135 oraz unipolarny czasy
Sprawozdanie Tranzystor bipolarny Sprawozdanie Tranzystory bipolarne
Tranzystory bipolarne
Katalog tranzystorów bipolarnych
Tranzystory bipolarne
3 Tranzystory bipolarne i unipolarne
Badanie tranzystora, Tranzy~1o, Tranzystor bipolarny NPN
wyklad 4, Tranzystor bipolarny

więcej podobnych podstron