Politechnika Opolska

Przedmiot:	ELEKTRONIKA

Kierunek studiów:	Automatyka i robotyka	Rok studiów:	II
Semestr:	IV	Rok akademicki:	2011/2012

Temat:
Tranzystory bipolarne

Projekt wykonali:
Nazwisko:
1.

Ocena za projekt:	Data:	Uwagi:

Termin zajęć:
Dzień tygodnia:

Termin oddania projektu:	03.04.2012	Projekt oddano:	03.04.2012

1.Wstęp teoretyczny

Tranzystor bipolarny (dawniej: tranzystor warstwowy, tranzystor złączowy) to odmiana tranzystora, półprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału. Zbudowany jest z trzech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnictwa. Charakteryzuje się tym, że niewielki prąd płynący pomiędzy dwiema jego elektrodami (nazywanymi bazą i emiterem) steruje większym prądem płynącym między emiterem, a trzecią elektrodą (nazywaną kolektorem).

Dla określenia właściwości elektrycznych tranzystorów bipolarnych w zakresie małych częstotliwości należy wyznaczyć cztery rodziny jego charakterystyk (rys.2.1), spośród nich najważniejszymi są charakterystyki wyjściowa i wejściowa. Z nachyleń charakterystyki można wyznaczyć parametry małosygnałowe tranzystora. Podobnie jak parametry małosygnałowe można określić dla danego punktu pracy tranzystora parametry wielkosygnałowe, przy czym najczęściej określa się tylko h_21E oraz h_11E.

2.Tabele pomiarowe

a) badanie charakterystyki wyjściowej tranzystora

UBE [V]	IB [μA]	UCE [V]	IC [mA]
0,55	-60	0,009	0
0,55	-60	0,152	3,78
0,55	-60	1,156	12,39
0,55	-60	1,416	12,52
0,55	-60	1,709	12,37
0,55	-60	2,052	12
0,55	-60	2,457	12,22
0,55	-60	3,36	13,45
0,55	-60	4,12	13,78
0,55	-60	4,52	13,89
0,55	-60	5,18	13,79
0,55	-60	7,71	14,04
0,55	-60	6,09	13,87
0,55	-60	6,5	14,31
0,55	-60	7,84	15,27
0,55	-60	8,63	15,96
0,55	-60	9,43	16,74
0,55	-60	10,07	17,17
0,55	-60	11,38	18,51
0,55	-60	12,77	19,9
0,55	-60	13,11	23,8
0,55	-60	14,26	25,8
0,55	-60	15,09	27,4
0,55	-60	19,95	42,9

b) badanie charakterystyki wejściowej tranzystora

UBE [V]	IB [mA]	UCE [V]	IC [mA]
-0,6	-0,07	0,75	1,12
-0,603	-0,08	0,75	1,12
-0,606	-0,09	0,75	1,12
-0,61	-0,1	0,75	1,12
-0,614	-0,14	0,75	1,12
-0,616	-0,15	0,75	1,12
-0,618	-0,16	0,75	1,12
-0,62	-0,17	0,75	1,12
-0,623	-0,18	0,75	1,12
-0,626	-0,2	0,75	1,12
-0,63	-0,24	0,75	1,12
-0,632	-0,25	0,75	1,12
-0,635	-0,29	0,75	1,12
-0,638	-0,33	0,75	1,12
-0,64	-0,37	0,75	1,12
-0,645	-0,41	0,75	1,12

c) badanie charakterystyki sprzężenia zwrotnego tranzystora

UBE [V]	IB [μA]	UCE [V]	IC [mA]
-0,62	50	1,68	-10,57
-0,63	50	2,89	-11
-0,58	50	6,23	-11,16
-0,56	50	10,38	-13,15
-0,53	50	14,75	-16,48
-0,5	50	15,31	-17,82
-0,43	50	17,98	-25,7
-0,39	50	18,23	-26,3
-0,36	50	19,85	-29,5
-0,29	50	21,9	-39,8

d) badanie charakterystyki przejściowej tranzystora

UBE [V]	IB [mA]	UCE [V]	IC [mA]
1,28	-0,37	0,04	0,36
1,14	-0,33	0,04	0,32
1,05	-0,29	0,04	0,28
0,93	-0,25	0,04	0,24
0,81	-0,21	0,04	0,2
0,71	-0,17	0,04	0,16
0,59	-0,14	0,04	0,13
0,57	-0,09	0,04	0,08
0,56	-0,08	0,04	0,07
0,55	-0,07	0,04	0,06
0,54	-0,06	0,04	0,05
0,53	-0,05	0,04	0,04
0,52	-0,04	0,04	0,03
0,51	-0,03	0,04	0,02
0,44	-0,02	0,04	0

3.Charakterystyki

4.Wnioski

Celem przeprowadzonego przez nas ćwiczenia było poznanie metod znajdowania charakterystyk statycznych i dynamicznych tranzystorów bipolarnych oraz sposobów określania parametrów astatycznych i dynamicznych. Na podstawie uzyskanych wyników wykreśliliśmy charakterystyk wejściową, przejściową, sprzężenia zwrotnego oraz wejściową. W charakterystyce wyjściowej różnica w charakterystyce spowodowana jest niedokładnością pomiaru, ponieważ wartości na mierniku wahały się i wartość odczytywaliśmy przybliżoną. W charakterystyce wejściowej oraz przejściowej wykres nie startuje od zera. Prawdopodobnie spowodowanie jest to stałym błędem miernika lub luźnym przewodem, który niedokładnie stykał się w danym punkcie pomiarowym. Przez podane powyżej możliwości błędu, sądzimy także, że charakterystyka sprzężenia zwrotnego nie wyszła nam idealnie liniowa, charakterystyk ta zbliża się w niewielkim stopniu do wartości zerowej na napięciu baza-emiter U_BE.