+ Dodanie domieszki donorowej do półprzewodnika powoduje zwiększenie ilości swobodnych elektronów.
+ Poziom Fermiego, to poziom energetyczny, dla którego prawdopodobieństwo obsadzenia przez elektron wynosi co najmniej 0,5.
+ Rozszczepienie poziomów Fermiego w złączu p-n jest miarą napięcia polaryzacji.
- Centra generacyjno- rekombinacyjne mogą być zarówno donorami jak i akceptorami.
- Prąd unoszenia w półprzewodniku zależy od gradientu koncentracji domieszek
- Dyfuzja nośników w półprzewodniku zależy od przyłożonego pola elektrycznego.
+ Przy polaryzacji w kierunku zaporowym nośniki mniejszościowe znajdują się przy warstwie zaporowej są umieszczone w polu elektrycznym na drugą stronę tej warstwy.
- Przy polaryzacji złącza p-n w kierunku zaporowym płynie głównie prąd dyfuzyjny.
- Przy polaryzacji w kierunku przewodzenia płynie głównie prąd unoszenia.
- Zjawisko przebicia Zenera w złączach p-n spolaryzowanych w kierunku przewodzenia wykorzystuje się w stabilizatorach napięcia.
- Aby tranzystor bipolarny PNP pracował w stanie aktywnym, to złącza tranzystora muszą być spolaryzowane w kierunku przewodzenia.
- Aby tranzystor bipolarny NPN pracował w stanie inwersyjnym, to złącze baza- emiter musi być spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze baza kolektor w kierunku zaporowym.
- Aby tranzystor bipolarny NPN pracował w stanie nasycenia, to złącza tranzystora muszą być spolaryzowane w kierunku zaporowym.
- Aby tranzystor bipolarny PNP pracował w stanie odcięcia, to złącze baza emiter musi być spolaryzowane w kierunku zaporowym, a złącze baza kolektor w kierunku przewodzenia.
- Największe wzmocnienie mocy tranzystora bipolarnego można uzyskać, jeżeli pracuje on w układzie wspólnego kolektora.
+ Największe pasmo przenoszenia tranzystora bipolarnego można uzyskać jeśli pracuje on w układzie wspólnej bazy.
+Efekt Earty’ego jest to zależność prądu kolektora od napięcia UCE przy stałym prądzie bazy.
+ Elektrony w bazie tranzystora NPN są nośnikami mniejszościowymi.
+ Elektrony w bazie tranzystora PNP są nośnikami większościowymi.
Parametry mieszane tranzystora bipolarnego oznaczają
- h11 – admitancja wejściowa
- h12- wzmocnienie napięciowe
+ h21 wzmocnienie prądowe
- h22 impedancja wyjściowa
- Kanał indukowany w tranzystorze polowym to taki, który został przygotowany na etapie technologicznym.
+ Kanał zubożony w tranzystorze polowym to taki, który powstaje po przyłożeniu odpowiedniego napięcia na bramce.
- Jeśli źródło i dren tranzystora MOS są domieszkowane domieszką typu p. to nośnikami ładunku w kanale są elektrony.
+ Tranzystory MOS z kanałem typu n wytwarza się w podłożu typu p.
- Tranzystory MOS z kanałem typu p mają źródła i dreny typu n.
+ Zwiększenie dodatniego napięcia UGS w tranzystorze PMOS spowoduje wzrost prądu drenu.
+ Nośnikami mniejszościowymi w kanale tranzystora NMOS są dziury.
+ Procesy technologiczne które wytwarzają dodatkową warstwę na podłożu to: metalizacja, epitaksja, utlenianie.
+ Idealny wzmacniacz operacyjny powinien mieć nieskończoną rezystancje wejściową, rezystancje wyjściową równą zero, oraz nieskończenie duży dopuszczalny prąd wyjściowy.
- Miarą odporności wzmacniacza na zmiany napięc zasilających jest wsp. o nazwie CMRR.
- Stosunek wzmocnieni sygnału różnicowego i sygnału wspólnego wyznacza wsp. PSRR.
+ Wsp. przesunięcia fazowego filtrów określa kąt pomiędzy napięciem wejściowy a napięciem wyjściowym.
+ Dobroć filtrów określa stosunek częstotliwości środkowej do szerokości jego pasma.
+ Wsp. prostokątności filtrów określa stosunek pasma 3dB do pasma 20dB.
+ Kwantowanie polega na rejestracji wartości sygnału z odstępem czasowym określanym jako okres próbkowania.