Laboratorium Inżynierii Materiałowej: Temat ćwiczenia: Badanie wpływu temperatury na rezystancję przewodników i półprzewodników. |
Data wykonania: | Nr. ćwiczenia: | |
---|---|---|---|
Wykonawcy: | Data oddania: |
Ocena: |
Wstęp teoretyczny:
Ze wzrostem temperatury wzrastają amplitudy drgań atomów w węzłów sieci, rośnie wtedy prawdopodobieństwo zderzeń z elektronami. Stąd ze wzrostem temperatury maleje ruchliwość elektronów, a więc i konduktywność metalu.
gdzie jest współczynnikiem temperaturowym rezystywności .W zakresie od do prawdziwe jest również przybliżenie , gdzie jest rezystywnością przewodnika w temperaturze . Współczynniki temperaturowe niektórych przewodników zawarto w tabeli:
Metal | 1/deg |
---|---|
Cu | 0,0041 |
Al | 0,0040 |
Ag | 0,0040 |
Au | 0,0038 |
Fe | 0,0059 |
Sn | 0,0044 |
Podobnie jak w metalach, gęstość prądu w półprzewodniku można określić wzorem:
gdzie n jest koncentracją nośników ładunku, u ich ruchliwością,
a -konduktywnością .
Różnica polega na tym, że w półprzewodniku prąd jest sumą prądu elektronowego i dziurowego
, gdzie .
Schemat układu pomiarowego:
Tabela pomiarowa:
T[oC] | t[min] | R1Ω | R2Ω | R3Ω | R4Ω | R5Ω | R6Ω | R7kΩ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
24,4 | 0 | 740 | 454,5 | 564 | błąd | 6,5 | 6,4 | 0,99 |
30 | 2,33 | 650 | 455 | 593 | 52,6 | 5,8 | 6,4 | 1,1 |
35 | 4,05 | 540 | 443 | 610 | błąd | błąd | 6,3 | 1,12 |
40 | 6,55 | 434 | 425 | 630 | 54,3 | 5,6 | 6,1 | 1,16 |
45 | 10,50 | 350 | 400 | 650 | 56,4 | 6 | 6 | 1,2 |
50 | 14,22 | 291,5 | 376 | 680 | 59 | 5,6 | 5,9 | 1,25 |
55 | 18,08 | 244 | 350 | 700 | 53,8 | błąd | 5,95 | 1,3 |
60 | 22,25 | 204 | 320,6 | 730 | 70,4 | 5,6 | 5,9 | 1,35 |
65 | 26,40 | 173 | 292,5 | 750 | 79,8 | 5,78 | 5,95 | 1,4 |
70 | 31,05 | 147 | 265 | 780 | 93,4 | 6,4 | 5,98 | 1,44 |
75 | 35,55 | 125 | 238 | 800 | 114 | 5,76 | 5,97 | 1,49 |
80 | 42,36 | 106,7 | 212,3 | 800 | 150 | 5,91 | 6,1 | 1,54 |
85 | 50,10 | 90,8 | 188,2 | 860 | 218 | 6,3 | 6,26 | 1,6 |
błąd – wyniki pomiarowe odbiegające od reszty wyników, spowodowane wadliwym przełącznikiem do zmiany rezystorów.
Wykresy:
R1; R2 – półprzewodniki
Wzrost rezystancji do wzrostu temperatury jest cechą przewodników.
-R3
To=24,4 oC ; Ro=564 Ω
-R4
To=24,4 oC ; Ro=52,6 Ω
-R7
To=24,4 oC ; Ro=990 Ω
RT = R0(1 + αT)
$$\frac{R_{T}}{R_{0}} - 1 = \alpha T$$
$$\alpha = \frac{R_{T} - R_{0}}{R_{0}T}$$
∆T=T-T0
-R3
RT= 860 Ω;∆T=60,6 oC
$$\alpha = \frac{860 - 564}{564 \times 60,6} = 0,00866$$
-R4
RT= 218 Ω ; ∆T=60,6 oC
$$\alpha = \frac{218 - 52,6}{52,6 \times 60,6} = 0,052$$
-R7
RT= 1600 Ω ; ∆T=60,6 oC
$$\alpha = \frac{1600 - 990}{990 \times 60,6} = 0,0102$$
Uwagi i wnioski:
Podczas wykonywania ćwiczenia, trafiliśmy na wadliwy przełącznik oporników R1-R7, co powodowało błędne pomiary w niektórych przypadkach.
Wg. naszych obserwacji oporniki 1 i 2 są półprzewodnikami, 3, 4, 7 przewodnikami, a 5 i 6 nie wykazują jednoznacznie na charakterystyce którą grupę oporników reprezentują. Obliczony został temperaturowy współczynnik rezystancji α. Podczas ćwiczenia zaobserwowaliśmy zmieniającą się rezystancję elementów oporowych pod wpływem temperatury. Zrozumieliśmy, że ważny jest dobry dobór materiałów do danego środowiska wg temperatury pracy. Możemy wybierać wśród wszelakich materiałów w zależności od potrzeb.