Politechnika Śląska Instytut Elektroniki	Rok akademicki 2008/2009 semestr zimowy
Laboratorium Elektroniki dla Informatyków (WSZ INF sem. 4)
Tranzystor bipolarny (cz. 2)
	Sekcja: VII
Ćwiczenie wykonano:	Skład sekcji:
05 – 03 - 2009 Czwartek Godzina 19:30	Jarosław Jureczko Mateusz Manicki Wykonanie: wspólne

Zadanie 1. Sporządzić wykresy charakterystyk wejściowych, wyjściowych, przejściowych i zwrotnych dla tranzystora BC211 podpiętego w układ ze wspólnym emiterem. Policzyć parametry małosygnałowe dla prądu Ib = 40 µA i Uce = 5V.

Parametry małosygnałowe:

- impedancja wejściowa przy zwartym wyjściu:

$$h_{11e = \frac{U_{\text{BE}}}{I_{B}} = \frac{0,659 - 0,627}{60,2 - 20,1} = 0,79kO}$$

-admitancja wyjściowa przy rozwartym wejściu:

$$h_{22e} = \frac{{\Delta I}_{C}}{{\Delta U}_{\text{CE}}} = \frac{4,1 - 3,95}{7 - 2} = 0,003\text{\ kS}$$

-współczynnik oddziaływania wstecznego przy rozwartym wejściu:

$$h_{12e} = \frac{{\Delta U}_{\text{BE}}}{{\Delta U}_{\text{CE}}} = \frac{0,64 - 0,645}{7 - 2} = - 0,0001$$

-współczynnik wzmocnienia prądowego przy zwartym wyjściu:

$$h_{21e} = \beta = \frac{{\Delta I}_{C}}{{\Delta I}_{B}} = \frac{6,44 - 1,82}{61 - 20,5} = 0,111$$

Zadanie 2. Do układu z poprzedniego ćwiczenia wpiąć opornik o wartości 1kΩ. Dla stałego napięcia Ucc sporządzić dwa wykresy dla prądu Ic i Uce zależne od prądu Ib. Pomiary przeprowadzić dla podpięcia normalnego i inwersyjnego tranzystora. Obliczyć wzmocnienie prądowe dla podpięcia normalnego i inwersyjnego. Sprawdzić czy tranzystor jest symetryczny.

Wzmocnienie dla podpięcia normalnego:

$$\beta_{n} = \frac{I_{C}}{I_{B}} = \frac{1060 - 98}{20 - 2} = 53,4$$

Wzmocnienie dla podpięcia inwersyjnego:

$$\beta_{i} = \frac{I_{C}'}{I_{B}} = \frac{7,8 - 7,6}{0,6 - 0,2} = 0,5$$

Wnioski:

1. Tranzystor nie jest symetryczny

2. Złącze nie jest równo domieszkowane, złącze przy kolektorze jest domieszkowane lepiej

3. Przy różnych prądach baz Ib uzyskuje się różne punkty pracy