1.co to polprzew p, n?powstawanie:

typu”n”- powstaje przez wprowadzenie do polprzewodnika samoistnego domieszki donorowej(pierwiastki 5 grupy tablicy okresowej).Posiada większa koncentracje elektronów niż dziur.Elektrony są nośnikami wiekszosciowymi, a dziury mniejszosciowymi.

-typu p- powstaje przez wprowadzenia do polprz. Samoistnego domieszki akceptorowej(3 gr)ma większa koncentracje dziur niż elektronow( nosnosc odwrotnie do n)

2. Co to jest warstwa zaporowa złącza p-n, jaka jest i od czego zależy szerokość tej warstwy?:

To obszar półprzewodnika monokrystalicznego utworzony przez dwie graniczące ze sobą warstwy typu n i p. Po zetknięciu półprzewodników tych typów, w skutek dużej koncentracji ruchomych nośników ładunku, nastąpi proces dyfuzji elektronów z materiału n do p oraz dziur z materiału p do n. Powstaną dwa strumienie prądu dyfuzyjnego J_pd i J_nd. Nieskompensowane jony po obu stronach złącza tworzą dipolową warstwę ładunku wytwarzającego pole przeciwdziałające dalszej dyfuzji nośników większościowych. Powstają dwa strumienie prądu unoszenia nośników(dziur z obszaru n do p-J_pu i elektronów z obszaru p do n J_nu) skierowane przeciwnie do odpowiednich strumieni prądów dyfuzyjnych. Skutkiem rownowagi dynamicznej jest zachowanie istnienia na zlaczyu dipolowej warstwy ładunków która nazywa się warstwą zaporową. Napiecie utworzone w obszarze granicznym nosi nazwe bariery potencjalow. Maleje wraz ze wzrostem domieszkowania a jej grub=1 mikrometr.

3.Charakterystyka I(U) złącza p-n; jakie parametry ograniczają użyteczny zakres tej charakterystyki?

Złącze p-n przewodzi prąd przy polaryzacji w kierunku przewodzenia i

nie przewodzi prądu przy polaryzacji w kierunku zaporowym (bardzo mały prąd wsteczny)

.

Zakres ograniczają:

Max częstotliwość

zależy od pojemnosci złacza)

-Prąd przebicia
-Moc wydzielana

4.Charakterystyka statyczna krzemowej diody prostowniczej; na osiach podać przykładowe wartości napięć i prądów.

5.Co to są i czym się charakteryzują diody Schottky’ego?

Diody ze złączem metal-półprzewodnik. Mniejszy spadek napięcia

w kierunku przewodzenia (0,4-0,5V). Bardzo szybkie (metal nie magazynuje ładuków => brak pojemności dyfuzyjnej), wielkie częstotliwości

6.Czym różni się dioda detekcyjna od diody prostowniczej? Jakie są typowe konstrukcje diod detekcyjnych?

Detekcyjna (sygnałowa) Prostownicza

-Mała pojemność złącza -Duża pojemność złącza
-Duże f (>=100MHz) -Małe częstotliwości (np. 50Hz)

-Małe prądy max (np. 50mA) -Duże prądy (Do ok 10A)

-Małe nap. Wsteczne -Duże napięcia

-Germanowe, (np. ostrzowe) -Krzemowe

-Używana np. w radiach -Prostowniki...

7.Co to są i do czego są używane diody Zenera? Jakie są typowe wartości napięcia przebicia takich diod?

Dioda zenera (stabilizacyjna) – dioda polprzewodnikowa, typowy obszar pracy na odcinku charakterystyki I(U), nastepuje gwaltowny wzrost pradu przy polaryzacji zaporowej. Zachodzi albo Przebicie Zenera (do 5V – przeskok elektronu przez warstwę zaporową), albo lawinowa jonizacja zderzeniowa (od 7V – rozerwanie wiązań sieci krystalicznej wskutek energii kinetycznej elektronów). Używane do stosowania w ukladach stabilizacji napiec, ukladach ogracznikow lub jako zrodlo napiec odniesienia.

Charakterystyczne parametry: napiecie zenera i temperaturowy wspolczynnik napiecia zenera.

8.Schemat stabilizatora napięcia z diodą Zenera.

9.Dlaczego i w jakich warunkach złącze p-n można wykorzystać jako kondensator (diodę pojemnościową)? Od czego zależy pojemność złącza?

Dioda spolaryzowana zaporowo może pracować jako mały kondensator o regulowanej pojemności, gdyż warstwa dipolu powstająca na złączu robi za warstwę między

okładkami. Pojemność jest regulowana i zalezy od przyłożonego napięcia

10.Co to jest dioda tunelowa i jaką ma charakterystykę I(U)?

Dioda tunelowa posiada w pewnym wąskim (0,2-0,6V) zakresie ujemną rezystancję(ze wzrostem napięcia maleje prąd). Silne domieszkowanie powoduje powstanie skrajnie cienkiej warstwy zaporowej (10nm), występuje tzw. przejście tunelowe. Przejście przez obszar bariery występuje przy polaryzacji wstecznej i niewielkiej polaryzacji w kierunku przewodzenia. Dalsze zwiększanie napięcia polaryz. powoduje zanik przechodzenia elektronów przez barierę. W miarę wzrostu napięcia prąd diody spolaryzowanej w kierunku przewodzenia rośnie.

11.Od czego zależy wartość prądu emitera tranzystora? Narysować odpowiednią charakterystykę. Podać zależność prądu kolektora od prądu emitera.

Tranzystor- to trojkacowkowy element polprzewodnikowy zdolny do wzmacniania sygnalow pradu stalego i zmiennego.

Ic-proad korektora;alfa-podstaw, wspolczynnik tranzystora;Ie-prad emitera.

Ie=Ib + Ic

α = Ic / Ie

12.Od czego zależy wartość prądu bazy tranzystora? Narysować odpowiednią charakterystykę. Podać zależność prądu kolektora od prądu bazy.

Przy bardzo małych wartościach U_be prąd bazy może zmieniać kierunek. I_B=I_E-αI_E –I_C0=(1-α)I_E-I_C0 prąd bazy jest różnicą dwóch składowych, od prądu emitera równej (i-α)I_E­ oraz prądu zerowego kolektoraI_C0

Ic= β *Ib+(1+ β)*Ico -zależność prądu kolektora od prądu bazy

β =$\frac{Ic}{Ib}$

13.Co to jest współczynnik α a co współczynnik β tranzystora; jaka jest zależność między tymi współczynnikami?(jak wyzej)

alfa=beta/(1+beta).

Alfa-współczynnik wzmocnienia prądowego dla składowych zmiennych w konfiguracji pracyWB(konfiguracja wspolnej bazy)Beta to samo co alfa tylko WE(konfig. Wspolnego emitera)

14.Narysować charakterystykę I_C(U_CE) tranzystora; podać sposób wyznaczenia z tej charakterystyki wartości współczynnika β.

β -jest równy stosunkowi przyrostu prądu kolektora ∆Ic do wywołującego go przyrostu prądu bazy ∆Ib(przy stałej wartości napięcia Uce).

15.Narysować schemat polaryzacji złącz tranzystora w układzie OE; od czego zależy wartość prądu kolektora tranzystora w tym układzie?.

Uk uklład z potencjometrycznym zasilaniem bazy

16.Narysować schemat wzmacniacza tranzystorowego; od czego zależy wzmocnienie tego wzmacniacza?

Stosunek przyrostu ∆Uce do przyrostu ∆Eg określa skuteczne wzmocnienie napięciowe wzmacniacza. kus= ∆Uce/∆Eg

17.Kiedy tranzystor jest w stanie aktywnym, a kiedy w stanie odcięcia lub nasycenia? Jak wybiera się spoczynkowy punkt pracy tranzystora w układzie wzmacniacza?

Złącze baza-emiter jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a zlacze baza korektor w kierunku zaporowym. Przy takiej polaryzacji tranzystor pełni funkcje elementu czynnego (może sluzyc do liniowego wzmacniania sygnałow elektycznych. Jest to praca w obszarze aktywnym.

Stan zatkania: polaryzacja zlącza B-E i B-C zaporowo. Stan nasycenia- B-E, B-C przewodzenia.

18.Zależność współczynnika β tranzystora od częstotliwości; jak ta zależność wpływa na wzmocnienie wzmacniacza tranzystorowego?

Wraz ze wzrostem czestotliwości wzmocnienie prądowe tranzystora maleje. Zalezność h_21e od częstotliwości określa się za pomocą charakt. częstotliwości f_B, przy której wzmocnienie prądowe tranzystora maleje o 3dB w stosunku do wartości max, f_t przy której h_21e maleje do 1, czyli przy której tranzystor w układzie OE traci wł. wzmacniające.

19.Podać parametry, ograniczające maksymalne wartości napięć i prądów tranzystora; pokazać najważniejsze ograniczenia w polu charakterystyk wyjściowych I_C(U_CE).

-maksymalny prad kolektora; maksymalne napiecie kolektor-emiter, prad zerowy i napiecie nasycenia. Rys z pytania 14.

20.Symbol graficzny i charakterystyki tranzystora polowego złączowego; podstawowa właściwość takiego tranzystora, różniąca go od tranzystorów bipolarnych.

.jego dzialanie zalezy od przeplywu nosnikow większosciowych; jest latwiejszy do wytwarzania i w postaci scalonej zajmuje mniej miejsca, charakteryzuje się duza rezystancja wejsciowa, jest przyrzadem o mniejszych szumach niż tranzyst. Bipolarne.

Różnice:

1.Mniejsze wymiary i prostota konstrukcji

2.W przewodzeniu prądu przez półprzew. kanał biorą udział jedynie nośniki większościowe

3.B. duża rezystancja między bramką i kanałem 10⁹ -10¹⁶

4.Nie występuje zjawisko magazynowania nośników prądu wew. elementu

5. Mały pobór mocy

6. Brak napięcia niezrównoważenia drenu

21.Schemat budowy tranzystora MOS FET; symbole graficzne i podstawowe właściwości dwóch odmiennych rodzajów takich tranzystorów.

Rodzaje:

tran. Normalnie wyłączony- dzialajac odpowednio duzym napieciem bramki można zaindukowac kanał (wlaczyc tranzystor). Dalszy wzrost napiecia bramki powoduje zwiekszenie konduktancji kanału.

Tran. Normalnie właczony- kanał już istnieje przy braku polaryzacji bramki i może plynac duzy prad drenu. Tranzystory te maja kanał specjalnie wbudowany lub trwale zaindukowany ładunkiem powierzchniowym zgromadzonym w izolatorze przy granicy z podlozem. Dzialajac napieciem bramki można zmniejszyc konduktancję kanału.

22.Symbol graficzny i charakterystyka I(U) tyrystora; w jaki sposób realizuje się włączenie (wyzwolenie) tyrystora a w jaki sposób wyłączenie?

Włączenie tyrystora może mieć miejsce przy rożnych wartościach napięcia anoda katoda. Im większa wartość prądu bramki tym mniejsze napięcie A-K przy którym następuje włączenie tyrystora. Może ono nastąpić tez wskutek :-wzrostu napięcia anodowego w stanie blokowania tyrystora do wartości przy której zostanie zapoczątkowany proces przebicia lawinowego w zaporowo spolaryzowanym złączu j2, powoduje to wzrost prądu i przełączenie tyrystora do stanu przewodzenia - skokowych zmian napięcia anodowego o dużej stromości i narastania zboczy dua/dt - przekroczenia dopuszczalnej temperatury złączy , promieniowania świetlnego.

Wyłączenie tyrystora- następuje po zmniejszeniu jego prądu anodowego poniżej wartości prądu podtrzymania Ih. Zwykle następuje to wskutek zmiany polaryzacji napięcia przemiennego zasilającego obwód A-K lub w wyniku przejmowania prąd tyrystora przez inny obwód równoległy.

23.Symbol graficzny i charakterystyka I(U) tyrystora symetrycznego (TRIAC’a); w jaki sposób realizuje się włączenie (wyzwolenie) triaka a w jaki sposób wyłączenie?

Triac- tyrystor dwukierunkowy.

Metody wlaczania:

• gdy Ua2>Ua1, wówczas struktura p1-n1-p2-n2 pracuje jak klasyczny tyrystor;; gdy Ua2>Ua1 i prad bramkowy jest ujemny, owczas prad tranzystora n1p2n3 wprowadza TRIAC w stan przewodzenia.;;; - Ua2<Ua1 wówczas struktura p2n1p1n4 pracuje jak klasyczny tyrystor a bramka jest zlacze n3p2;;;Ua2<Ua1 i impuls bramkowy większy >0. Wyłączenie nastepuje gdy wartosc pradu anodowego zmniejszy się ponizej wartosci pradow podtrzymania Ih.

24.Co to jest Triak i Diak; do czego są wykorzystywane?

Triak- rezystor dwukierunkowy z dwoma tyrystorami SCR polaczonym odwrotnie rownolegle, przy czym maja one tylko jedna bramke sterujaco. Triak ma 3 wyprowadzenia anode pierwsza A1, anode druga A2 i bramke G. Umożliwia budowę prostych łączników i sterowników pradu przemiennego. Diak- dynistor symetryczny który zachowuje się tak jak dioda przełaczająca. Rozni się tylko tym ze napiecie po zalaczeniu zmniejsza się o stosunkowa mala wartosc, nie zbliza się do 0. Brak elektrody sterującej.

25.Wymienić typowe przyrządy optoelektroniczne (fotoelektryczne);

-diody elektroluminescyjne

-lasery polprzewodnikowe

-fotorezystor

-fototranzystor.

26.Co to jest fotodioda? Jakie są dwa podstawowe sposoby wykorzystania fotodiody?

Fotodioda- jest to dioda półprzewodnikowa (zwykle z jednym złączem p-n)której parametry elektryczne zależą od padającego promieniowania świetlnego. Umieszczone jest w specjalnej obudowie z przezroczystym oknem.

Zastos.: 1.(przy braku polaryzacji)Baterie słoneczne są szeroko wykorzystywane do zasilania wyposażenia elektrycznego urządzeń satelitarnych oraz ładowania klasycznych baterii sprawność przetwarzania energii świetlnej przez fotodiodę jest niewielka. ( około 14%). 2.(przy polaryzacji zaporowej)nieliniowy rezystor w którym opór zależy od strumienia światła[fotodioda jako detektor]

27.Co to są i do czego są wykorzystywane transoptory?

Transoptor jest to optoelektr. przyrząd półp. który stanowi elektrycznie izolowana, a optycznie sprzężona para fotoemiter-fotodetektor. Transoptor umożliwia jednokierunkowy przepływ sygnału od obw. wejśćiowego w którym znajduje się fotoemiter, do obwodu wyjściow. zawierającego

fotodetektor. Fotoemiter to zwykle dioda elektroluminescencyjna emitująca promień. w dalekiej podczerw., natomiast fotodetektor to najczęściej fotodioda lub fototranzystor. Transoptor z fototyrystorem działa jak element przełączający wyłączany impulsem promieniowania diody lumines. Transoptory stosuje się w celu elektrycznego ( galwanicznego ) odizolowania układów ze sobą współpracujących przy dopuszcz. różnicy napięć między nimi nie przekraczjących napięcia przebicia transoptora (1-50kV). Może przenosić zarówno syg. cyfrowe jak i analogowe. Do galwanicznego rozdzielania obwodow w ukladach sterowania i automatyki, w techice pomiarowej wysokich napiec, jak przekazniki optoelektroniczne, wylaczniki krancowe, czujniki polozenia.

28.Co to jest termistor i warystor?

Termistor to opornik półprzewodnikowy, którego rezystancja zależy od temperatury.

Rodzaje:

NTC – o ujemnym współczynniku temperaturowym (ang. negative temperature coefficient) – wzrost temperatury powoduje

zmniejszanie się rezystancji;

PTC – (pozystor) o dodatnim współczynniku temperaturowym (ang. positive temperature coefficient), wzrost temperatury

powoduje wzrost rezystancji;

CTR – o skokowej zmianie rezystancji (ang. critical temperature resistor) – wzrost temperatury powyżej określonej powoduje

gwałtowną zmianę wzrost/spadek rezystancji. W termistorach polimerowych następuje szybki wzrost rezystancji (bezpieczniki

polimerowe), a w ceramicznych zawierających związki baru, spadek.

Warystor podzespół elektroniczny, ochronnik przepięciowy o nieliniowej charakterystyce rezystancji, zależnej od wartości przyłożonego doń napięcia elektrycznego. Gdy przekroczy ono pewną wartość, charakterystyczną dla danego typu (modelu) warystora, jego rezystancja szybko maleje, z początkowych setek kiloomów do zaledwie kilkunastu omów. Dzięki temu, płynie przez niego duży prąd powodujący przepalenie (wyłączenie się) bezpiecznika a zarazem wyłączenie urządzenia. Oczywiście tylko wtedy, gdy pracuje on jako zabezpieczenie przeciwprzepięciowe, a więc połączony jest równolegle ze źródłem napięcia. W trakcie pracy jako odgromnik (połączenie szeregowe pomiędzy piorunochronem a uziemieniem) jego mała rezystancja, wywołana ogromnym napięciem pioruna, pozwala na swobodny przepływ prądu do ziemi.

29.Co to jest hallotron i gausotron?

Hallotron- element polprzewodnikowy u podstaw dzialania którego lezy zjawisko Halla, zjawisko to polega na powstaniu w polprzewodniku znajdujacym się w polu magnetycznym pola elektrycznego poprzecznego do kierunku przeplywu pradu. Glownym elementem jest prostopadloscienna plytka polprzewodnikowa na krawedziach której umieszczone są elektrody(2 wzdluz osi x , 2 wzdluz osi y.

(gaussotron) - element półprzewodnikowy o rezystancji zależnej od pola magnetycznego, przy czym rezystancja zwiększa się wraz ze wzrostem indukcji pola magnetycznego, a przebieg jej zmian zależy zarówno od wielkości pola, jak i od kształtu elementu. Zjawisko to nosi nazwę efektu Gaussa[1].

Magnetorezystory stosowane są głównie do pomiaru pól magnetycznych w szerokim zakresie zmian indukcji magnetycznej 10–7 – 102 T (tesli), a także w urządzeniach automatyki przemiennej, modulatorach, watomierzach prądu zmiennego. Znalazły także zastosowanie do pomiarów przesunięcia liniowego i kątowego[1].

30.Podać definicję układu scalonego.

Jest to zminiaturyzowany układ elektroniczny, zawierający w swoim wnętrzu od kilku do setek milionów podstawowych elementów elektronicznych takich jak: tranz., diody, rezystory, kondensatory. Rozróżniamy dwa typy wykonania –monolityczne(elementy wykonane w monokrystalicznej strukturze półprzewodź. –hybrydowe(układ elektryczny wykonany poprzez wytrawianie)

31W jaki sposób w układzie scalonym, w jednym przewodzącym elektrycznie krzemowym podłożu wytwarza się wiele niezależnych, odizolowanych od siebie tranzystorów?

zminiaturyzowany układ elektroniczny zawierający w swym wnętrzu od kilku do setek milionów podstawowych elementów elektronicznych, takich jak tranzystory, diody, rezystory, kondensatory

32. Jak w układzie scalonym wytwarza się diody, rezystory i kondensatory?

a) do wytworzenia diody stosuje się proces dyfuzji dające jedno złącze typu p-n. Struktura diody w ukł. scalonym cechuje się płaskim złączem. Parametry elek. diody dyfuzyjnej zależą od powiedzchni złącza, rozkładu i koncentracji domieszek. Tranzystory wykonuje sie podobnie.

b) rezystory wytwarza się przez dyfuzję warstwy p w półprzew. n lub odwrotnie. Na obu końcach w ten sposób umieszcza się kontakty metalowe, między którymi występuje rez. zależna od kształtu i zawartości domieszek kanału. Złącze „obrysowujące” taki kanał jest spolaryzowane wstecznie.

33.Narysować charakterystykę przejściową Uwy(Uwe) wzmacniacza; pokazać jak wyznaczyć wzmocnienie wzmacniacza z tej charakterystyki; co ogranicza możliwość wzmocnienia bardzo małych a co bardzo dużych napięć wejściowych?

Uwy=ku*Uwe; ku- podstawowy parametr wzmacniacza, jeżeli Uwe jest za male to dojdzie do szumow i zaklocen

Charakterystyka ta przedstawia zależność wartości ustalonej prądu (napięcia) wyjściowego od wartości prądu (napięcia) wejściowego. Odbiega ona od linii prostej. Ulega ona zakrzywieniu, wzrastającemu na ogół w miarę wzrostu amplitudy sygnału. Im większe zakrzywienie tym większe są zniekształcenia. Współczynnik wzmocnienia jest tangensem nachylenia stycznej do charakterystyki w określonym punkcie.

zakres dynamiczny (liniowy odcinek)

34. Na czym polega i dlaczego jest stosowany sposób polaryzacji złącz tranzystora „z potencjometrycznym zasilanie bazy”?

Jest to powszechnie stosowany układ zasilania wzmacniaczy tranzystorowych. Powód: konieczność stabilizowania punktu pracy tranzystora. Zmiany wynikać mogą ze zmian temp., wymiarów tranzystora, zmiany napięć zasilających.

35.Narysować schemat dwustopniowego wzmacniacza RC; podać przykładowe wartości napięcia zasilającego i napięć na elektrodach tranzystorów.

36.Narysować schemat jednostopniowego wzmacniacza RC; narysować charakterystykę częstotliwościową takiego wzmacniacza i podać, które elementy decydują o jej przebiegu w zakresie małych, średnich i dużych częstotliwości?

W zakresie małych f najistotniejsze są kondensatory sprzęgające C_S1 i C_S2 ,wpływają również R_e oraz C_e. Średnie f: pomijane są wszystkie pojemności, wzmocnienie ma stała wartość.

Duże f: poprzeczne pojemności C_we i C_wy bedące zastąpieniem C_A C_B C_C. Wpływ tych pojemności jest tym większy im większa jest rezystancja równoległa R_V=R_g ||V_VE.

37.Narysować charakterystykę częstotliwościową wzmacniacza prądu zmiennego i wzmacniacza prądu stałego. Jaka jest zasadnicza cecha konstrukcyjna wzmacniaczy prądu stałego, umożliwiająca uzyskanie właściwej charakterystyki częstotliwościowej?

38.Co to jest dryft we wzmacniaczach prądu stałego? Jakie środki są stosowane w celu zmniejszenia dryftu?

Napięcie i prąd dryftu są to sygnały, które muszą być wprowadzone na wejście wzmacniacza w celu skompensowania na jego wyjściu sygnałów szkodliwych

Dryft- zamiana sygnału wejściowego spowodowana przyczynami innymi niż zmiana napięcia wejściowego. Napięcie dryftu wynika ze mian U_BE. Powstaje we wszystkich stopniach ale najistotniejszy jest w stopniu wejściowym. Podlega największemu wzmocnieniu i ogranicza czułość wzmacniacza

Dryft zależy od:

-zmiana punktu pracy

-zmiana temp złącza

-starzenie się elementów

-zmiana napięcia zasilana

39.Wpływ ujemnego sprzężenia zwrotnego (USZ) na wzmocnienie wzmacniacza – wzór; na jakie właściwości wzmacniacza wpływa jeszcze USZ i w jaki sposób?

Sprzezenie zwrotne- podanie czesci sygnalu z wyjscia ukladu na jego wejscie.

Sprzezenie ujemne- ma miejsce wtedy gdy wzmocnienie ukladu maleje po zastosowaniu sprzezenia, tj, gdy |kf|<|k|

wówczas (|1-k*beta|>1), wyrazenie 1-beta*k nazywany jest wspolczynnikiem sprzezenia zwrotnego.kf=k/(1-beta*k)

k-transpitacja wzmacniacza. USZ wplywa jeszcze na: wrazliwosc wzgledna wzmocnienia; redukcje znieksztalcen nieliniowych, impedancje wejsciowa, impedancje wyjsciowa, ksztaltowanie charakterystyk czestotliwosciowych wzmacniaczy.

40.Narysować przykładowy schemat wzmacniacza z ujemnym sprzężeniem zwrotnym (USZ). Podać, który element realizuje USZ. Od czego zależy siła (współczynnik) sprzężenia zwrotnego?

Zalezy od wzmocnienia beta i sygnalu sterującego: schemat:

41.Co to jest wtórnik emiterowy: schemat i podstawowe właściwości.

Wtórnik emiterowy to jest taki wzmacniacz tranzystorowy który ma wzmocnienie równe jedności, czyli to co jest na wejściu jest na wyjściu. Sluzy to, manipulowaniu impedancją wejścia i wyjścia takiego układu

42.Schemat wzmacniacza odwracającego ze wzmacniaczem operacyjnym. Od czego zależy wzmocnienie takiego układu?

R­_we- bardzo duża R_wy- mała

Parametry: - nieskończenie duże wzmocnienie przy otwartej pętli sprzężenia zwrotnego; - nieskończenie szerokie pasmo przenoszenia; - zerowa rezystancja wyjściowa i nieskończenie duża rezystancja wejściowa przy otwartej pętli sprzężenia zwrotnego; -zerowe napięcie niezrównoważenia.

43.Schemat wzmacniacza nieodwracającego ze wzmacniaczem operacyjnym. Od czego zależy wzmocnienie takiego układu?

Zalezy od wartosci rezystorow w ukladzie sprzezenia zwrotnego. K=1+ R2/R1

44.Schemat wzmacniacza różnicowego ze wzmacniaczem operacyjnym. Od czego zależy napięcie wyjściowe takiego układu?

Napięcie wyjściowe jest proporcjonalne do różnicy napięć wejściowych.

(U₁₂-U₁₁)- napięcie sterujące w zależności, które U jest większe, to wzmacniacz jest odwracalny lub nie.

R_we1=R₁ ; R_we2=R₃+R₄

Układ odznacza się bardzo dużą rezystancją wejściową dzięki sterowaniu przez wejścia powtarzające. Zastosowanie w technice pomiarowej.

45.Schemat wtórnika napięciowego ze wzmacniaczem operacyjnym. Podstawowe właściwości tego układu.

R₁- nieskończenie wielka; R₂=0

gdzie K₀=1

Właściwości:

• zgodność faz sygnałów wejściowego i wyjściowego

• duża rezystancja wejściowa

• mała rezystancja wyjściowa

46.Schemat wzmacniacza całkującego ze wzmacniaczem operacyjnym. Narysować przebiegi napięcia wejściowego i wyjściowego przy sterowaniu napięciem prostokątnym.

Przebiegi napiecia:

47.Schemat wzmacniacza różniczkującego ze wzmacniaczem operacyjnym. Narysować przebiegi napięcia wejściowego i wyjściowego przy sterowaniu napięciem trójkątnym.

Przebiegi napiecia

48.Narysować schemat i charakterystykę częstotliwościową wzmacniacza selektywnego. Jaka jest szerokość pasma przenoszenia takiego wzmacniacza i od czego ta szerokość zależy?

Wzmacniacz selektywny LC

Wzmacniacz selektywny RC(Gałąź selektywna mostka Wiena)

49.Maksymalna sprawność wzmacniaczy mocy klasy B. Dlaczego praktycznie realizowane wzmacniacze mocy nie pracują w „czystej” klasie B, a w klasie AB? Ile tranzystorów musi zawierać stopień wzmacniacza mocy w klasie AB?

Moc sygnału na obciązeniu przy sinusoidalnym ksztalcie jest iloczynem wartosci skutecznych pradu i napiecia,

P0max=(Uem*Iem)/2. Najwieksza mozliwa sprawnosc wzmacniacza wynosi 78%

W zakresie malych napiec charakterystyka wejsciowa tranzystora jest silnie nieliniowa(znieksztalcenia skrośne), zeby ich uniknac należy punkt pracy tranzystora przesunac powyzej silnego zagiecia charakterystyki wejsciowej wystepujacego dla malych pradow. Realizuje się to przez dostarczenie napiecia polaryzacji wstepnej w postaci zrodla Uab. Pracuja 2 tranzystory dl amalych sygnalow a dla duzych jeden. 2 tranzystory zestawiane w konfiguracje Darlingtona.

50.Schemat generatora przebiegu sinusoidalnego. Od czego zależy częstotliwość generowanego przebiegu?

warunek amplitudy: ku(fo)* βu(fo) =1

52.Schemat multiwibratora astabilnego. Do czego jest stosowany?

Jest to generator drgań

Niesinusoidalnych przebieg

Zbliżony do przebiegu

prostokątnego

53.Co to jest uniwibrator (układ, przerzutnik monostabilny)?

54.Narysować schemat prostownika jednopołówkowego z filtrem pojemnościowym (kondensatorem zbiorczym); narysować przebieg napięcia wyjściowego (na obciążeniu), napięcia na diodzie prostowniczej i przebieg prądu diody prostowniczej na tle przebiegu napięcia wejściowego z sieci zasilającej.

55.Narysować schemat prostownika dwupołówkowego z filtrem pojemnościowym (kondensatorem zbiorczym); narysować przebieg napięcia wyjściowego (na obciążeniu), napięcia na jednej z diod prostowniczych i prądu jednej z diod prostowniczych na tle przebiegu napięcia wejściowego z sieci zasilającej.

56.Stabilizator napięcia: zastosowanie, właściwości (charakterystyka obciążenia, współczynnik stabilizacji, sprawność).

Stabilizatory sluza do ustalania napiec wyjsciowych zasilacza przy zmianach pradu obciazenia i wahania napiecia dostarczanego z poprzednich stopni zasilacza. Powinien tez zapewniac eliminacje tętnień. Podstawowe parametry stabilizatora: - nominalne napiecie stabilizacji,; najwiekszy prad wyjsciowy w zakresie stabilizacji;-najwiekszy prad wyjsciowy zwarciowy; zakres dopuszczalnych zmian napiecia wejsciowego; wspolczynnik stabilizacji naopiecia; - unormowany wspolczynnik stabilizacji napiecia;- wspolczynnik temperaturowy ;- rezystanca wyjsciowa;- sprawnosc energetyczna.

Wspolczynnik stabilizacjiSu=deltaU2/deltaU1 – podstawowy parametr stabilizatora, miesci się w zakresie od 0,1do 0,01, w prostych stabilizatorach parametrycznych. Sprawnosc- n=(U2*I2)/ U1*I1, stabilizatory o dzialaniu ciaglym maja mala sprawnosc energetyczna zalezna od poboru pradu przez obciazenie(wieksza sprawnosc przy pradach duzych). Na ogol ni eprzekracza 60%.