Wydział Elektrotechniki i Informatyki POLITECHNIKA RZESZOWSKA im. IGNACEGO ŁUKASIEWICZA	Tomasz Piotrowski 3EE-ZI Grupa: L3
		Rok akad. 2012/2013 Semestr: zimowy
Laboratorium Podstaw Elektroniki	Ćwiczenie nr 2
Temat: Tranzystory polowe JFET i MOSFET

1. Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest pomiar podstawowych charakterystyk i wyznaczenie parametrów

określających właściwości tranzystora polowego MOSFET.

1. Schemat pomiarowy:

Tranzystor polowy MOSFET typu N z kanałem indukowalnym.

Informacja o używanym tranzystorze:

Model: T2N 7000

I_Dmax - 200 mA

U_DSmax - 60 V

P_Dmax - 400 mW

1. Pomiar charakterystyk statycznych

   1. Tabela pomiarowa i wykres charakterystyki przejściowej

UDS=2.4 V	UDS=4.4 V	UDS=6.4 V
ID	UGS	ID
mA	V	mA
0	0	0
0	1	0
0	1.5	0.005
0.002	1.7	0.051
0.028	1.9	0.144
0.106	2	7.31
5.548	2.2	11.32
11.432	2.5	32.44
50.29	2.8	82.14
95.68	3	107.65

Napięcie |U_GS| nie powinno przekraczać |U_p| o więcej niż około 0,5V

ponieważ wzrastające napięcie U_GS (powyżej napięcia odcięcia U_p) zwiększa obszar braku nośników (obszar izolacji) w kierunku elektrody D.

1. Tabela pomiarowa i wykres charakterystyki wyjściowej

UGS=1,7 V	UGS=2 V	UGS=3 V
ID	UDS	ID
mA	V	mA
0	0	0,023
0,0044	2	0,23
0,0049	4	0,24
0,0053	6	0,25
0,0059	8	0,27
0,0063	10	0,29
0,007	12	0,3
0,0076	14	0,33
0,0084	16	0,35
0,0092	18	0,38

1. Opracowanie wyników

4.1 Wyznaczyć parametry U_t oraz K równania opisującego charakterystykę przejściową tranzystora

MOS z kanałem indukowanym

$$I_{D} = K\left( 1 - \frac{U_{\text{GS}}}{U_{t}} \right)^{2}\ $$

4.2 Wykresy do wyznaczenia parametrów U_t oraz K

4.3 Używając programu Excel i podstawiając wyniki do wzorów otrzymujemy:

$a = - \frac{\sqrt{K}}{U_{t}} = 2,94$

$b = \sqrt{K} = - 3,15$

$$U_{t} = - \frac{- 3,15}{2,94} = 1,07$$

5 Wnioski

Z charakterystyki przejściowej możemy odczytać zmianę prądu Id pod wpływem regulacji napięcia dren-źródło. Sporządzając charakterystyki dla tranzystora polowego typu MOSFET możemy zauważyć, że zmiana napięcia U_GS znacznie wpływa na ziemne wartości prądu drenu. Dzięki tej zalecie tranzystor może być sterowany już niewielkimi napięciami.