Wydział Elektrotechniki i Informatyki POLITECHNIKA RZESZOWSKA im. IGNACEGO ŁUKASIEWICZA	Tomasz Piotrowski 3EE-ZI Grupa: L3
		Rok akad. 2012/2013 Semestr: zimowy
Laboratorium Podstaw Elektroniki	Ćwiczenie nr 3
Temat: Badanie tranzystora bipolarnego (BJT)

1. Temat ćwiczenia :

Badanie tranzystora bipolarnego

1. Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest pomiar i analiza charakterystyk statycznych tranzystora bipo0larnego pnp pracującego w układzie wspólnego emitera (WE)

1. Program ćwiczenia :

1. Zmierzyć charakterystykę wejsciowa  U_BE = f(I_B)U_CE = par dla trzech różnych wartości napięcia U_CE;

2. Zmierzyć charakterystykę przejściową I_C = f(I_B) U_CE = par dla trzech różnych wartości napięcia U_CE;

3. Zmierzyć charakterystykę wyjściową I_C = f(U_CB)I_E = par  dla trzech różnych wartości prądu I_B ;

4. Zmierzyć charakterystykę oddziaływania zwrotnego U_BE = f(U_CB) I_E = par dla trzech różnych wartości prądu I_B;

5. Parametry hybrydowe tranzystora BJT w układzie OE;

• Parametry tranzystora:

BD 140:

• U_CB = −80 V;

• U_CE =   − 80 V;

• U_EB =   − 5 V;

• I_C =   − 1, 5 A;

• I_B =   − 0, 5 A;

Schemat pomiarowy do badania tranzystora w układzie wspólnego emitera WE:

Tabele pomiarowe:

I_Cmax=P\U

• dla U_CE= 5,5 V, U_CE= 7V, U_CE= 8,5 V,

• I_Cmax=0,22A, I_Cmax=0,17A, I_Cmax=0,15A,

Lp	IB	IC	UBE
	mA	mA	V
1	0,37	38,5	0,43
2	0,52	48,42	0,47
3	0,65	58,2	0,38
4	0,73	63,8	0,42
5	0,88	72,9	0,47
6	0,95	76,6	0,49
7	1,1	85,9	0,51
8	1,15	97,58	0,53
9	1,27	97,58	0,54
10	1,67	116,1	0,46

Lp	IB	IC	UBE
	mA	mA	V
1	0,16	17,6	0,48
2	0,28	27,8	0,65
3	0,43	38,4	0,83
4	0,45	44,3	0,82
5	0,5	46,2	0,77
6	0,6	54,2	0,76
7	0,71	77,8	0,91
8	0,95	96,4	0,79
9	1,24	111,4	0,82
10	1,49	164,7	0,78

Lp	IB	IC	UBE
	mA	mA	V
1	0,18	19,96	0,64
2	0,3	31,85	1,07
3	0,44	42,5	1,14
4	0,57	92,8	1,3
5	0,65	112,7	1,35
6	0,72	115,8	1,33
7	0,76	118,2	1,31
8	-	-	-
9	-	-	-
10	-	-	-

Lp	IC	UCE	UBE
	mA	V	V
1	1,19	0	0,58
2	43,7	0,3	0,68
3	44,8	0,9	0,67
4	45,6	1,5	0,67
5	44	1,8	0,66
6	43,1	2,4	0,65
7	43	2,6	0,64
8	43,4	2,9	0,62
9	43,9	3,2	0,58
10	44,5	3,4	0,55

Lp	IC	UCE	UBE
	mA	V	V
1	0,56	0	0,5
2	16,8	1,7	0,6
3	17,3	1,8	0,63
4	19,1	2,1	0,54
5	20,7	2,5	0,47
6	22,4	2,8	0,41
7	23,3	3	0,41
8	27,8	4	0,22
9	31,4	5,2	0,13
10	33,2	6	0,09

• dla I_B = 150 uA I_B = 250 uA I_B = 350 uA

Lp	IC	UCE	UBE
	mA	V	V
1	0,9	0	0,57
2	3,1	0,3	0,67
3	29,3	1,5	0,66
4	29,5	1,8	0,65
5	29,7	2,3	0,61
6	31,1	2,7	0,55
7	31,8	2,9	0,53
8	33,2	3,1	0,48
9	34,1	3,4	0,44
10	35,1	3,6	0,4

Charakterystyka wejsciowa  U_BE=f(I_B)U_CE = par dla trzech różnych wartości napięcia U_CE;

Charakterystyka przejściowa I_C=f(I_B) U_CE = par dla trzech różnych wartości napięcia U_CE;

Charakterystyka wyjściowa I_C=f(U_CE)I_E = par  dla trzech różnych wartości prądu I_E;

Charakterystyka oddziaływania zwrotnego U_BE=f(U_CB) I_E = par dla trzech różnych wartości prądu I_E;

1. Wnioski:

Badając właściwości tranzystora zauważamy znaczna zależność pomiędzy prądem bazy a prądem kolektora, dzięki tej zależności możemy stwierdzić iż tranzystor ten posiada duże wzmocnienie przodowe . Ta zależność jest bardzo ważna przy doborze tego typu tranzystora i trzeba zwrócić szczególna uwagę na parametry pracy by nie doprowadzić do uszkodzenia elementu.