Zakład Techniki Sterowania
Laboratorium elektronicznych elementów automatyki
Badanie tranzystora IGBT
Semestr: V Rok Akademicki: 2013/2014
Leśnik Przemysław 171374 Łuczak Hubert 171376 Szumko Tomasz 171423
Pierwszym zadaniem było wyznaczenie napięcia progowego badanego tranzystora IGBT. Aby ustalić napięcie, amperomierz został dołączony do kolektora, woltomierz został podłączamy między bramką i emiterem. Zwiększaliśmy napięcie zasilania (CH1), do momentu w którym na amperomierzu uzyskaliśmy wartość 1mA. Uzyskana wartość napięcie na woltomierzu jest napięciem progowym.
Układ pomiarowy
Rezystancja na rezystorze 50 Ω
Pomiar napięcia progowego dla różnych napięć na kanale drugim
Dla 18 V uzyskaliśmy 5,64 V UGE(on) Dla 24 V uzyskaliśmy 5,65 V UGE(on) Dla 28 V uzyskaliśmy 5,65 V UGE(on)
Dopuszczalna wartość napięcia UGE – 15 V
Drugim zadaniem było wyznaczyć charakterystyki przejściowe. Do wyznaczenia której potrzebowaliśmy napięcia bramka-emiter i prąd kolektora. Układ pomiarowy jest identyczny jak w pierwszym zadaniu.
Układ pomiarowy
28 V | 24V | 18V | |||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Ic[mA] | Uge[V] | Ic[mA] | Uge[V] | Ic[mA] | Uge[V] | ||
0 | 0 | 0,12 | 5,25 | 0,04 | 5,05 | ||
0,05 | 5,09 | 0,37 | 5,44 | 0,2 | 5,33 | ||
0,26 | 5,4 | 2,7 | 5,78 | 0,85 | 5,58 | ||
0,67 | 5,57 | 10,16 | 6,02 | 3,38 | 5,82 | ||
1,13 | 5,66 | 22,4 | 6,18 | 11 | 6,04 | ||
8 | 6 | 44,1 | 6,32 | 29,8 | 6,24 | ||
15,6 | 6,12 | 85,3 | 6,5 | 53 | 6,37 | ||
40 | 6,32 | 109 | 6,66 | 83 | 6,7 | ||
130 | 6,74 | 107,7 | 7,11 | 82,6 | 7,1 | ||
132 | 7,2 | 107,2 | 8,9 | 82,3 | 10,8 | ||
132,6 | 8,9 | 106,9 | 14,8 | 82 | 14,5 | ||
132,5 | 10,7 | ||||||
135,8 | 14,5 | ||||||
Rezystancja 194,4 Ω Spadek napięcia został uwzględniony na tranzystorze.
Charakterystyki przejściowe
Na charakterystyce przejściowej można zauważyć, że prąd w tranzystorze IGBT popłynie po przekroczeniu napięcia progowego. Po niżej tej wartości prąd kolektora równy jest 0.Od załączenia się tranzystora wartość prądu zmienia się bardzo szybko w stosunku do napięcia. Prąd dopiero po chwili zaczyna być liniowy. Wynika to z prawa Ohma. Napięcie progowe jest jednym z najważniejszych parametrów tego tranzystora w katalogu
Trzecim zadaniem było wyznaczenie spadku napięcia wyjściowego na złączu kolektor – emiter ( Charakterystyki przejściowe)
0,5V poniżej napięcia progowego
Dla napięcia progowego
0.5V powyżej napięcia progowego
1.5V powyżej napięcia progowego
Układ pomiarowy
Pomiar dla 5.15V (czyli UT - 0,5V) poniżej napięcia progowego, prąd kolektora nie przekracza 0,5 A.
UGE=5.65 V | UGE=6.15 V | UGE=7.15 V |
---|---|---|
Uce[V] | Ic[mA] | |
0,25 | 0,3 | |
0,37 | 0,11 | |
0,54 | 0,84 | |
0,77 | 1,01 | |
15,06 | 1,01 | |
15,07 | 1,03 | |
Charakterystyka wyjściowa UGE=5.65 V(na osi pionowej jest Ic [mA])
Charakterystyki przejściowe UGE=6.15 V i UGE=7.15 V
Spadek napięcia na załączonym tranzystorze IGBT wynosi 0,9 V do 1 V.
Przy charakterystyce wyjściowej, nasze wykresy podzieliłem na dwa oddzielne, gdyż jeden wykres był zbyt mało czytelny, z powodu zbyt dużych różnic w wartościach prądu kolektora. Pomiary wykonane były dla dla napięć: napięcie progowe, napięcie mniejsze o 0,5V i większe o 0,5V i 1,5V od napięcia progowego. Poniżej napięcia progowego tranzystor nie przewodzi. Dla napięcia progowego prąd kolektora równy był 1mA. Ttranzystor IGBT jest połączeniem z tranzystora bipolarnego i tranzystora typu MOSFET. Tranzystor przejął i połączył ze sobą najlepsze cechy wymienionych tranzystorów. W naszym układzie do wyznaczenia charakterystyki przejściowej, wartość rezystancji na oporniku podłączonym do kolektora powinna wynosić 50Ω, po sprawdzeniu rezystancji okazało się że miernik pokazuje wartość 194,4 Ω.