Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych
Ćwiczenie 4: Parametry statyczne diod półprzewodnikowych
semestr 2 rok akademicki 2011/2012
Skład
Pintara Damian
nr indeksu 171396
Kowalewski Mateusz
nr indeksu 171362
Leśnik Przemysław
nr indeksu 171374
Ocena
____________
1. Cel ćwiczenia
Celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk podstawowych typów diod półprzewodników oraz zapoznanie się z metodami identyfikacji parametrów odpowiadających im modeli statycznych. Modele te stanowią podstawę schematów zastępczych stosowanych przy projektowaniu układów elektronicznych zawierających diody oraz pozwalają na w miarę precyzyjne określenie strat w przyrządzie w stanie przewodzenia i blokowania.
Wykonanie ćwiczenia
Uproszczone schematy układów pomiarowych
Wyboru układu pomiarowego dokonujemy przełącznikiem na płycie czołowej. Rodzaj włożonej do gniazda wtykowego diody wskazuje świecąca dioda elektroluminescencyjna.
Należy pomierzyć charakterystyki prądowo – napięciowe dla kierunku przewodzenia i kierunku wstecznego wszystkich wydanych przez prowadzącego diod. Napięcie zasilające regulujemy potencjometrem zasilacza. Pomiary należy wykonać w największym możliwym zakresie prądu i napięcia. Ograniczeniem jest maksimum napięcia zasilacza lub zakres miernika(po przekroczeniu tego zakresu miernik przestaje wyświetlać wartość mierzoną). Należy zwrócić szczególną uwagę na jednostki wielkości mierzonej(wskazywane są przez diode LED przy każdym mierniku)
Uwaga! Przed przystąpieniem do pomiarów sprawdzić „zachowanie się” badanego elementu w układzie pomiarowym. Tzn. dokonać wszystkich możliwych regulacji i zaobserwować, w jakim zakresie zmieniają się poszczególne wielkości, jak się zmieniają (gwałtownie, wolno). W oparciu o te obserwacje ustalić zakres pomiarów, krok pomiarowy(niekoniecznie stału w całym zakresie pomiarowym). Dopiero wtedy przystąpić do właściwych pomiarów
Dioda Zenera
Dioda I | Dioda I | |
---|---|---|
W kierunku przewodzenia | W kieruneku zaporowym | |
U [V] | I [mA] | |
0 | 0 | |
0,711 | 0,38 | |
0,756 | 1,93 | |
0,781 | 4,46 | |
0,799 | 7,82 | |
0,806 | 10,27 | |
0,813 | 13,04 | |
0,819 | 15,95 | |
0,823 | 18 | |
Dioda II | Dioda II | |
---|---|---|
W kierunku przewodzenia | W kieruneku zaporowym | |
U [V] | I [mA] | |
0,67 | 0,32 | |
0,715 | 1,4 | |
0,736 | 3,28 | |
0,748 | 5,32 | |
0,757 | 7,35 | |
0,763 | 9,73 | |
0,767 | 11,47 | |
0,77 | 13,3 | |
0,773 | 15,37 | |
0,777 | 17,95 |
Dioda krzemowa
W kierunku przewodzenia | W kieruneku zaporowym | |
---|---|---|
U [V] | I [mA] | |
0 | 0 | |
0,58 | 1,8 | |
0,637 | 7,1 | |
0,678 | 17,4 | |
0,698 | 27,9 | |
0,711 | 37,6 | |
0,721 | 47,2 | |
0,728 | 56,9 | |
0,735 | 68,1 | |
0,741 | 77,3 | |
0,746 | 90,3 |
Diody LED
Dioda LED I |
---|
W kieruneku przewodzenia |
U [V] |
0,24 |
0,45 |
1,05 |
2,19 |
2,53 |
2,72 |
2,85 |
2,93 |
2,98 |
3,03 |
3,07 |
3,1 |
3,13 |
Dioda LED II |
W kieruneku przewodzenia |
U [V] |
0 |
1,61 |
1,68 |
1,7 |
1,72 |
1,74 |
1,75 |
1,77 |
1,78 |
1,8 |
Dioda germanowa
W kierunku przewodzenia | W kierunku zaporowym | |
---|---|---|
U [V] | I [mA] | |
0 | 0 | |
0,28 | 0,7 | |
0,332 | 1,62 | |
0,383 | 3,44 | |
0,415 | 5,33 | |
0,439 | 7,32 | |
0,458 | 8,3 | |
0,472 | 11,08 | |
0,485 | 12,87 | |
0,497 | 14,71 | |
0,511 | 17,12 |
Wnioski
W ćwiczeniu tym wyznaczaliśmy charakterystykę prądowo-napięciową. Dokonaliśmy liniowej aproksymacji charakterystyk statycznych i na tej podstawie określiliśmy napięcie progowe i napięci przebicia, rezystancję w obszarze przewodnia i zaporowym dla różnego typu diod półprzewodnikowych. Każda dioda posiada inne napięcie progowe Up najniższe posiada dioda germanowa potem krzemowa, najwyższe napięcie Up posiadają diody LED. Diody germanowe stosowane są w układach w których wykorzystywane niższe napięcia i potrzebne jest szybsze załączenie diody jednak dioda krzemowa posiada mniejsza rezystancje w kierunku przewodzenia co sprawia ze zużywa mniej mocy w czasie pracy oraz wydziela mniej ciepła. Każdy kolor diody LED posiada inne napięcie progowe które jest równoznaczne z napięciem załączenia diody ( kolor czerwony zaczyna świecić przy niższym napięciu). Napięcie przebicia oraz rezystancję w obszarze zaporowym dało się wyznaczyć jedynie dla diody LED białej i dla diod zenera. Są to najważniejsze parametry dla diod zenera dla zwykłej diody przekroczenie napięcia przebicia może spowodować uszkodzenie diody półprzewodnikowej. Diody zenera cechują się ty, że przekroczenie tego napięcia nie powoduję uszkodzenia diody, dla tego diody te stosuję się przy odwrotnej polaryzacji. W trakcie ćwiczenia badaliśmy dwie diody zenera dla jednej Uz=-2,5V a dla kolejnej Uz=-8,1V mniejsze napięcie przebicia wiązało się jednak z dużo większa rezystancją.