PP>WE>Z>AiR>Inż>Sem3	Elektronika	Rok ak.2015/16 (s.zim.)
...	Ćw. 4. Badanie tranzystora bipolarnego BC547 (płytka: tranzystory)	Data wyk.ćw.: 29.11.15
Grupa ...	Ćwiczenie 04	Zajęcia 3

1. Schemat układu badanego tranzystora.

   1. Tranzystor BC547

      1. Schemat układu

Rys. 1) Schemat podłączenia układu

1. Badanie wzmocnienia prądowego tranzystora BC547

2.1 Charakterystyka I_C=f(I_B)

Rys. 2) Charakterystyka I_C=f(I_B)

2.2 Charakterystyka 𝞫 =f(I_B)

Rys. 3) Charakterystyka 𝞫 =f(I_B)

2.3 Wartości parametru beta ( 𝞫 - wzmocnienie prądowe)

Tab. 1) Pomiary

UB[V]	UC[V]	IB[mA]	Ic[mA]	𝞫
0	10,32	0	0	0,0
0,2	10,32	0	0	0,0
0,4	10,32	0	0	0,0
0,6	10,12	0,006	0,28	46,7
0,65	9,3	0,02	3,4	170,0
0,66	8,5	0,023	6,54	284,3
0,67	7,67	0,03	10,5	350,0
0,68	6	0,05	17,8	356,0
0,69	45	0,07	24,4	348,6
0,7	3,15	0,1	30,2	302,0
0,72	1,94	0,13	35,5	273,1
0,74	1,38	0,2	38	190,0
0,76	0,9	0,3	40	133,3
0,78	0,3	0,64	42,8	66,9
0,79	0,18	1	43,3	43,3

1. Zdejmowanie charakterystyki wejściowej

3.1 Charakterystyka wejściowa

Rys. 4) Charakterystyka wejściowa

3.2 Char. wejściowa - obliczanie r_be

Rys. 4) Charakterystyka wejściowa obliczanie r_be

3.3 Char. wejściowa pierwszy pomiar dla U_C=10,33V

Rys. 5) Charakterystyka wejściowa pomiar dla 10,33 V

$r_{\text{be}} = \frac{U_{2} - U_{1}}{I_{2} - I_{1}} = \frac{0,7V - 0,63V}{1\text{mA} - 0,15\text{mA}} = 82\mathrm{\Omega}$, dla U_c=0V,

$r_{\text{be}} = \frac{U_{4} - U_{3}}{I_{4} - I_{3}} = \frac{0,8V - 0,7V}{0,87\text{mA} - 0,05\text{mA}} = 121\mathrm{\Omega}$, dla U_c=10,33V,

1. Zdejmowanie rodziny charakterystyk wyjściowych
   4.1 Tabela prądów bazy

Tab. 2) Pomiary prądów bazy

UC[V]	Ic[mA]	IB[mA]
5	15	0,046
5	10	0,03
5	5	0,015

4.2 Charakterystyka wyjściowa

Rys. 5) Charakterystyka wyjściowa

$$\mathbf{r}_{\mathbf{\text{ce}}}\mathbf{=}\left. \ \frac{\mathbf{}\mathbf{U}_{\mathbf{\text{CE}}}}{{\mathbf{}\mathbf{I}}_{\mathbf{C}}} \right|_{\mathbf{I}_{\mathbf{B}\mathbf{=}\mathbf{\text{const}}}}$$

Dla I_B=0,015

$$\mathbf{r}_{\mathbf{\text{ce}}}\mathbf{=}\frac{\mathbf{2}\mathbf{V}}{\mathbf{0}\mathbf{,}\mathbf{0015}\mathbf{A}}$$

r_ce=1333,33Ω

Dla I_B=0,046

$$\mathbf{r}_{\mathbf{\text{ce}}}\mathbf{=}\frac{\mathbf{2}\mathbf{V}}{\mathbf{0}\mathbf{,}\mathbf{002}\mathbf{A}}$$

r_ce=1000Ω

1. Uwagi dotyczące przebiegu ćwiczenia
   -mieliśmy bardzo duże trudności przy utrzymaniu stałego prądu bazy przy zdejmowaniu charakterystyki wyjściowej, jest spowodowane głównie bardzo małymi wartościami tych prądów i pracą na potencjometrach analogowych

2. Wnioski

- wartość napięcia Uc wpływa na rozszerzenie się charakterystyki wejściowej tranzystora,

-charakterystyka wyjściowa nie wygląda podręcznikowo, może to być spowodowane potencjometrami jakie używaliśmy (ich niedokładnością) oraz bardzo małą wartością prądów bazy co było trudne w utrzymaniu dokładności. Jest ona jednak prawidłowa i przedstawia to czego się spodziewaliśmy z wiadomości teoretycznych,

-charakterystyka I_B=f(U_BE), dla dwóch różnych wartości U_CE, początkowy prąd I_B jest równy zero. Po przekroczeniu napięcia U_BE = 600 mV (650 mV dla U_CE) następuje szybki wzrost prądu. Zjawisko to tłumaczy się tym, iż złącze BE można potraktować jak diodę, tzn. aby popłynął przez nie prąd musi być spolaryzowane w kierunku przewodzenia odpowiednią wartością napięcia.