Nowy dokument sformatowany

PJONIZACJA-kiedy atom absorbuje energie ze źródła ciepła lub światła, poziomy energetyczne elektronów podnoszą się. Elektron pobiera energię i przechodzi na orbitę położoną dalej od jądra. Jeżeli elektron zaabsorbuje dostateczną ilość energii może zostać całkowicie oderwany od powłoki zewnętrznej i znaleźć się poza wpływem atomu.

ZŁĄCZE p-n obszar półprzewodnika monokrystalicznego, w obrębie którego następuje zmiana typu przewodnictwa, np. z donorowego na akceptorowy.

Złącze p-n w stanie równowagi wykresy.

Wysokość bariery potencjałów nazywa się napięciem dyfuzyjnym Ud. Jest to wartość charakterystyczna dla danego rodzaju przewodnika: Si: Ud=0.7V; Ge Ud=0.3V

ENERGETYCZNY MODEL PASMOWY ZŁACZA P-N: poziom Fermiego ma jedna, stała wartość w całym obszarze złacza; w obszarach obojętnych elektrycznie położenie poziomu pozostaje takie, jak było w oddzielnych warstwach p,n.

Polaryzacja P,N: kierunek zaporowy n(+),p(-) Zgodna z biegunowością Ud. W kierunku przewodzenia n(-), p(+).

Przebicie: zjawisko gwałtownego wzrostu prądu przy polaryzacji złacza w kierunku zaporowym napięciem większym pewna charakterystyczna dla danego złącza wartość, zwana napięciem przebicia.

PRZEBICIE ZENERA: Upz<4xWg/q= 5V dla Si PRZEBICIE LAWINOWE Upl>6xWg/q=7V dla Si

Klasyfikacja Diod: germanowe Ud=0,3V: Krzemowe Ud=0,7V AIII BV (np. Ga As) Ud>1V

Klasyfikacja diod: 1) złacze p-n: 2) złacze m-s(schottky’ego) 3) pin( z warstwa polprzewodnika samoistnego) 4)p+-n, p-n+, n+-n( z półprzewodnikiem zdegenerowanym 5) z heterozłaczem( z różnych półprzewodników) Parametry: napiecie przewodzenia Uf przy określonym prądzie przewodzenia, prąd wsteczny Ir przy szczytowym napięciu wstecznym pracy Urwm, maksymalny, średni prąd przewodzenia Io, szczytowe napięcie wsteczne pracy Urmw, max moc strat Pad

Prostownik- jest to element l lub zestaw elementów elektronicznych służący dozmiany napięcia przemiennego na jednokierunkowe, które po dalszym odfiltrowaniu może być zmienione na napięcie stale. PROSTOWNIK JEDNOPOŁÓWKOWY PRZEBIEGI NAPIĘC. Parametry: Max I Im= Um/Rf+Ro Rf- rezystancja diody w kierunku przewodzenia, Max napięcie na diodzie w kierunku wstecznym Uz=Um, Max napięcie wyprostowane Uom= Um- Ud Ud- spadek napięcia na diodzie w kierunku przewodzenia; sprawność nap ηu=Uos/Um=0,318=31,8% , współczynnik tętnień nap: t=Uom/Uos=π

Zasada działania. W dodatniej półfali napięcia źródłowego przewodzi górna połowa uzwojenia wtórnego transformatora, dioda D1i rezystor Ro. W ujemnej pólfali napięcia źródłowego przewodzi dolna połowa uzwojenia wtórnego transformatora dioda D2 I rezystor Ro eg=Umsin(wt)




Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Nowy Dokument sformatowany
Nowy Dokument sformatowany
Nowy Dokument sformatowany (2)
Nowy Dokument sformatowany (2)
Nowy dokument sformatowany (2)
Nowy Dokument sformatowany
Nowy Dokument sformatowany
Nowy dokument sformatowany
Nowy dokument sformatowany (5)
Nowy Dokument sformatowany (5)
Nowy Dokument sformatowany
Nowy dokument sformatowany
Nowy Dokument sformatowany
Nowy Dokument sformatowany (2)
Nowy Dokument sformatowany
Nowy Dokument sformatowany
nowy+dokument+sformatowany PJYY6XWNMVWEN2PWYQFA4ND32ZCVVRJPDJXOGUI
Nowy dokument sformatowany (2)
Nowy Dokument sformatowany
Nowy dokument sformatowany