Temat: Badanie tranzystora bipolarnego i unipolarnego.
Porównać układy pracy tranzystora OE, OB, OC.
Rozróżnia się trzy zasadnicze układy pracy tranzystora:
- układ ze wspólnym emiterem (oznaczenie OE lub WE),
- układ ze wspólną bazą (oznaczenie OB lub WB),
- układ ze wspólnym kolektorem (oznaczenie OC lub WC).
Wybór jednego z tych układów jest zależny przede wszystkim od jego przeznaczenia i rodzaju tranzystora.
Układ OE
Ten sposób włączania tranzystorów jest najczęściej stosowany w układach elektronicznych. Układ ze wspólnym emiterem daje duże wzmocnienie zarówno prądowe, jak i napięciowe, a więc duże wzmocnienie mocy.
Napięcie wyjściowe w układzie OE jest odwrócone w fazie o kąt 180° w stosunku do napięcia wejściowego. Rezystancja wejściowa układu OE jest rzędu kilkuset omów, a wyjściowa wynosi kilkadziesiąt kiloomów. Układ ten pobiera moc w obwodzie wejściowym. Odznacza się on większym wzmocnieniem niż inne układy.
Ze względu na to, że układ ten jest najczęściej stosowany, producenci tranzystorów podają zwykle w katalogach parametry i charakterystyki dla układów ze wspólnym emiterem (OE).
Układ OB
Rezystancja wejściowa układu ze wspólną bazą jest mała, a wyjściowa - bardzo duża. Wyróżnia się pracą przy bardzo dużych częstotliwościach granicznych. I tak tranzystory pracujące w zakresach bardzo wielkich częstotliwości osiągają w układzie OB częstotliwości liczone w GHz, np. tranzystor BFR 15A (firmy Siemens) ma częstotliwość graniczną do 5 GHz.
Układ OC
Jest to jedyny układ tranzystora z dużą rezystancją wejściową. Ma to istotne znaczenie w układach elektronicznych wzmacniających przebiegi elektryczne małej częstotliwości (np. współpraca z mikrofonami o dużej rezystancji, do sterowania stopnia mocy we wzmacniaczu). Układ OC transformuje dużą rezystancję wejściową na małą rezystancję wyjściową.
Układ OC daje najmniejsze wzmocnienie mocy, nie daje wzmocnienia napięciowego, a tylko duże wzmocnienie prądowe.
Charakterystyka układów OE, OB, OC |
|||
Parametry |
Układ |
||
|
OE |
OB |
OC |
Rezystancja wejściowa |
średnia 50÷5000Ω |
mała 30÷1500Ω |
duża 0,1÷2MΩ |
Rezystancja wyjściowa |
duża 10÷500kΩ |
bardzo duża 0,5÷2MΩ |
mała 50÷500Ω |
Wzmocnienie prądowe |
duże 10÷1000 |
mniejsze od 1 |
duże (jak dla OE) |
Wzmocnienie napięciowe |
duże (kilkaset) |
duże (jak dla OE) |
mniejsze od 1 |
Wzmocnienie mocy |
bardzo duże (kilka tysięcy) |
duże (kilkaset) |
małe (kilkadziesiąt) |
Częstotliwość graniczna |
mała 10÷500MHz |
duża |
mała (jak dla OE) |
Faza nap. wyj. w stosunku do nap. wej. |
odwrócona |
zgodna |
zgodna |
1