UNIP SC1, Model z˙˙cz m-s z uwzgl˙dnieniem z uwzgl˙dnieniem stan˙w


Układy scal. unipolarne podobnie jak układy bipolarne są wytwarzane wyłącznie w krzemie technologią epiplenarną. W układach scal. unipol. są stosowane jedynie tranzystory MIS. Ukł. scal. MIS

mają w porównaniu z układa. bipolarn. szereg zalet:

-prostrza technologia wytwarzania (mniej procesów)

-możliwość wykonania całego ukł. tylko z MIS-ów

-większa gęstość upakowania (zajmują mniej miejs.)

- naturalna samoizolacja- zbędne są więc wyspy

- znacznie mniejszy pobór mocy

- ustępują jednak pod względem szybkości działania w porównaniu do ukł. bipolarnych

W ukł. scal. unipol. stosuje się wszystkie cztery rodzaje tranzystorów MIS tj z kanałami wzbogaconymi i zubożanymi typu p i n.

Tran. MOS z kanałem wzbogaconym Cechą charakterystyczną konstrukcji tran. z kanałem wzbogaconym jest to , że bramka całkowicie pokrywa kanał przykrywając częściowo obszary p+ źródła i drenu.

Tran. MOS z kanałem wzbogaconym typu n Istotną zaletą tranz. z kanałem typu n w porównaniu tran. z kanałem p jest większa szybkość działania z uwagi na około 3 -krotnie większą ruchliwość elektr. niż dziur. Główne fazy wytwarzania są te same tylko zamiast boru stosuje się fosfor przy domieszkowa.

Jednak tran. z bramką aluminiową wykonany w ten sposób ma ujemne napięcie progwe czyli jest tranz. z kanałem zubożanym. Aby otrzymać dodatnią wartość napięcia progowego, czyli tran. z kanałm wzbogaconym typu n trzeba:

-zwiększyć poziom domieszkowania podłoża

-zastosować dodatkową polaryzację podłoża

-zastosować bramke krzemową zamiast aluminiowej

Tran. MOS z kanałem zubożanym W przypadku bramki aluminiowej w sposób naturalny uzyskuje się tran. z kanałem zubożanym typu n . Gdy używamy bramki krzemowej to trzeba kanał wbudować posługując się jedną z następujących metod: dyfuzja, implantacja, epitaksja.

Technologia bramki krzemowej Najważniejszymi czynnikami ograniczającymi szbkość działania tran. MIS są pojemności pasożytnicze Cgse Cgde spowodowane częściowym pokryciem obszarów źródła i drenu przez elektrodę bramki. Jest dużo metod powodujących zmniejszenie zachodzenia bramki nad obszary źródłai drenu:

- stosowanie bramki krzemowej albo wolframowej

Najczęściej stosuje się metodę bramki krzemowej.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
UNIP SC2, Model z˙˙cz m-s z uwzgl˙dnieniem z uwzgl˙dnieniem stan˙w
TYRYSTO2, Model z˙˙cz m-s z uwzgl˙dnieniem z uwzgl˙dnieniem stan˙w
TECH MON, Model z˙˙cz m-s z uwzgl˙dnieniem z uwzgl˙dnieniem stan˙w
TRANZY, Model z˙˙cz m-s z uwzgl˙dnieniem z uwzgl˙dnieniem stan˙w
TECH MO2, Model z˙˙cz m-s z uwzgl˙dnieniem z uwzgl˙dnieniem stan˙w
ECO?O ┼Ťcieki 03 2007 operat
materia┼»y budowlane ┼Ťci─ůga
479 07 ç«ź«Ôý¬« Ç Ć«ßźąĄş´´ ¬Óą»«ßÔý çąČźĘ
Matreia┼»y ┼Ťci─ůga
200-07, Temat: Wyznaczanie bariery potencja˙u na z˙˙czu p-n .
200-07, Temat: Wyznaczanie bariery potencja˙u na z˙˙czu p-n .
widok od strony ┼Ťcie┼╝ek
CYK-CY~3, Budowa instalacji elektroenergetycznej: a)przy˙˙cze; b)z˙˙cze; c)GLZ g˙˙wna linia zasilaj˙
MANIK ┼Ťci─ůga,d
私はインターネット上で見つけた 日本人に何x
MANIK ┼Ťci─ůga 1
941826 变更表
Skrypt z?C Etyki

więcej podobnych podstron