1. Wstęp teoretyczny.

Ze wzrostem temperatury wzrastają amplitudy drgań atomów w węzłach sieci, rośnie wtedy prawdopodobieństwo zderzeń z elektronami. Stąd ze wzrostem temperatury maleje ruchliwość elektronów, a więc i konduktywność metalu.

gdzie
jest współczynnikiem temperaturowym rezystywności .W zakresie od
do
prawdziwe jest również przybliżenie
, gdzie
jest rezystywnością przewodnika w temperaturze
. Współczynniki temperaturowe niektórych przewodników zawarto w tabeli:

Metal	1/deg
Cu	0,0041
Al	0,0040
Ag	0,0040
Au	0,0038
Fe	0,0059
Sn	0,0044

Podobnie jak w metalach, gęstość prądu w półprzewodniku można określić wzorem:

gdzie n jest koncentracją nośników ładunku, u ich ruchliwością,

a
-konduktywnością .

Różnica polega na tym, że w półprzewodniku prąd jest sumą prądu elektronowego i dziurowego.

, gdzie
.

2. Schemat układu pomiarowego.

3. Tabela Pomiarowa (załączona w sprawozdaniu).

4. Wykresy.

5. Wnioski.

Z analizy tabeli pomiarowej wynika, że rezystancje próbek 1, 2 i 4 wraz ze wzrostem temperatury maleją w sposób niemalże liniowy. Rezystancje próbek 3 i 7 zwiększają się wraz ze wzrostem temperatury. Metal w próbce 5 znacząco zwiększył swą rezystancję dopiero po osiągnięciu temperatury 60
C. Zato metal w próbce nr 6 praktycznie nie zmienił swojej rezystancji wraz ze wzrostem temperatury.

---