186 187

186

m	lUOANIt				WWWANtt AÓWN0U6K	IHOWANK	miHEt SJWJłW
	A/J	NA IMCtO	M	U
t-NTOW SMABW	A A A S s	ł 1 ł ł ł	U a n ts		A A s s	A A A A $	TMJ.Iwij " v>m 7AII7 7MW 7A1U
a-mtow MHMUft KWtKUNY	s i $	ł ł j	ii a a		s A A	A	7Utt im 7MH
KICAM	A A A S s	ł ł ł ł	u a a n n		A A 5 S	A A A A S	TAIO.SliO 7M79 7AIK TAIŁO 7WSI
KKAM KWTOWNA	i i J	~~r~ ł i	ti a a		i A A	A	liIH 7MW 7MH
JTte STANÓW	A	t	tt		—	A	7*92

Rys. 5*71* liczniki w serii 7'*’. Oznaczenia! i - asynchroniczne, S - synchroniczne

5.10. PAMIĘCI ZAPIS/ODCZYT

Są to pamięci, w których dowolna informacja może być zapisywana lub odczytywana z jednakową łatwością 1 szybkością, Czas, jaki upływa od podania adresu wybranej lokacji pamięci do chwili pojawienia się na wyjściu informacji przechowywanej pod tym adresem, nosi nazwę czasu dostępu t_A (Access tima). Odczytywana informacja musi być stabilna przez czas t_p (Reąd tlme) wymagany przez układy korzystające z tej pamięci; wymaga to utrzymywania stabilnego adresu przez okres t_pę zwany czasem cyklu czytania (Read Cycle time).

W celu zapisania informacji w pamięci należy podać adres, a po czasie i t^y impuls zapisu o wymaganym minimalnym czasie trwania t^_p (Write Pulse time), podczas którego dane wejściowe muszą oczywiście być stabilne. Czas Cyklu zapisu t_wc (Write Cycle time) Jest więc sumą t_AW i t^_p - patrz rys. 5*72. (Powyższe dotyczy głównie tzw. pamięci statycznych. Cykle pamięci dynamicznych są bardziej złożone i nie będziemy ich tu omawiali.) Zazwyczaj t_w(, » t_{RC ain} = t_A, co sprawia, że czas dostępu jest najpowszechniej stosowanym, parametrem dynamicznym pamięci.

najbardziej pożądanym rodzajem pamięci jest taka, którtfj czas dostępu Jest stały dla wszystkich adresów. Jest to tzw. n«mlać o dostępnie swobodnym (Random Access -Memory = RAM), w której nośnik informacji ma postać matrycy jednobltowych -komórek pamięciowych ułożonych w wiersze i kolumny. Kazwa RAM stosowana Jeąt najczęściej zamiast określenia - pamięć zapis/od-czyt, choć nie jest tcrfpoprawne (ROM jest przecież także pamięcią o dostępnie swobodnym).

cm

ANU

PHOtWTU

- mmmmmi—>»rsg

CYKl

Z

13Ł.

ani:

mon/

/UKT

WORMACJA ' WAlMA

WSCS.

Rys. 5.72. Wykresy czasowe cyklu czytania i zapisu

Spośród różnych typów pamięci RAM, Jak np. ferrytowa, cienkowarstwowa czy półprzewodnikowa, w układach cyfrowych ogólnego przeznaczenia stosuje się obecnie tylko te ostatnie i nimi tylko będziemy się zajmować. Pominiemy również pamięci masowe, Jak dyski i kasety magnetyczne, ponieważ stanowią one odrębne gotowe urządzenia dołączane do układu cyfrowego i omawianie ich wybiega poza zakres tego skryptu.

Zależnie od sposobu realizacji półprzewodnikowych komórek pamięciowych, rozróżniamy pamięci statyczne i dynamiczne.

5.10.1. Pamięci statyczne RAM

Komórka pamięci statycznej Jest prostym przerzutnikiem utworzonym z dwóch wzmacniaczy inwersyjnych. Schemat komórki pamięci bipolarnej przedstawiony Jest na rys. 5*73a. Komórka wybierana Jest koincydencyjnie przez wymuszenie poziomu H w obu liniach adresowych 3^ i Y_m. Stan komórki odczytywany Jest za pomocą dwu linii bitowych B i 5; w stanie 1 przewodzi tranzystor w stanie 0 przewodzi Tg. Podczas odczytu, przy 3^ = Y_m = H, pojawia się prąd w tej linii bitowej, która połączona Jest z trzecim emiterem tranzystora aktualnie przewodzącego. Podczas zapisu, również przy Zjj = Y_m = H, należy wymusić B = L i 5 = H, Jeżeli ma być zapisana 1, zaś B = H i 5 = L, Jeżeli ma być zapisane 0. Żądany stan zostaje zapamiętany z chwilą, gdy którakolwiek z linii adresowych przejdzie w stan L przejmując na siebie prąd tranzystora przewodzącego.

Komórka statycznej pamięci NMOS przedstawiona Jest na rys. 5.73b.Tranzystory Tj i T^ -pełnią rolę obciążeń tranzystorów T^ i Tg, co razem two-