Image024

niej. Najprostszą postacią struktury PL (rys. 1.18) jest oczywiście struktura bez izolacji, bo wymaga tylko czterech masek i dwukrotnej dyfuzji w procesie technologicznym. Dla porównania na tym samym rysunku przedstawiono przekrój struktury konwencjonalnego tranzystora bipolarnego (7 masek).

Rys. 1.18. Struktury

a) układu I*L, b) konwencjonalnego tranzystora bipolarnego

Boża Emiter Kolektor

W układach PL wykorzystano zjawisko injekcji nośników bezpośrednio do tranzystorów przełączających z pominięciem rezystorów rozpraszających moc (rys. 1.11), które są elementami zajmującymi dużą powierzchnię. Jedną z największych gęstości upakowania przy prostej technologii (mała liczba fotolitografii i dyfuzji) można uzyskać stosując technikę PL.

Technologia MOS z kanałem p jest najstarszą technologią MOS. Układy MOS z kanałem p (rys. 1.19) będą stosowane jeszcze przez pewien czas, ze względu na wieloletnie doświadczenie, jakie posiadają liczni producenci tych układów.

układów kalkulatorowych, ze względu na jej prostotę i stosunkowo niski koszt produkcji tych układów.

Technologia MOS z kanałem n stanowi podstawową technologię stosowaną w nowych opracowaniach. Jest ona jedną z tanich technologii. Technologia ta obejmuje podobne operacje jak technologia układów z kanałem p, z tym że układy wytworzone w oparciu o technologię MOS z kanałem n są dwu — trzykrotnie szybsze ze względu na większą ruchliwość elektronów niż dziur. Wadą tej technologii jest dużo mniejsza odporność na zanieczyszczenia powierzchni krzemu i bardzo niskie początkowe napięcie progowe. Gęstość upakowania jest

34