PIC31

PIC31



77

76

Układy CMOS stanowią dziś podstawowy grupę układów MSI lak* w malej skali integracji (SSI) układy bramek i pi zertutnlków w technologii CMOS odgrywają istotny rolę, często zastępując układy Tli. w zastosowaniach wymagających ogtamcrcma mocy pobieranej z zasilacza

Podstawową zaletą układów CMOS jest minimalna moc statyczna trząsł unkrowaiówk NV stanie ustalonym l lub 0 jeden z trawy slotów inwenera jest zawsze wyłączony i pobór prądu jest zablokowany t* wyjątkiem niewielkiego prądu pasożytniczego upływ u V Straty mocy rosną intensywnie slopictO ptzy znacznym z większemu c.-ęstotliwwlci przełączania.

W ch>v'di \m .włączenia obydwa trawySloty są chwilowo załączone Moc dynamiczna ro^iuc liniowo z częstotliwością pracy;

Pą.-UceJC^J,

Z nfctaoin tq wyraka takie, ii moc tracona jest prcfc«v>xutaa do kwadiotu napięcia zasilania, stąd układy CMOS MSI tpRKtMt). pamięci) dostosowane są do niwtjo napięcia rtsiłMtia. ti. 3.3 V tub 2.5 V. W tym ostatnim prispwiku. w potów ranni i zasdamem 5 V. zmniejszenie navy jesteamteoK: (5/25)! - 4

Niskie napięcie zasilania mesie dodatkową zaletę, a mianowicie mały poaiom ;akKvcń ełcktronuignctywnych wnoszonych przez sam ukbd Takie układy CMOS o małej szybkości działania zasilane z baterii (w zegarkach, kalkulatorach. itpJ) nvąją obrażone upięcia zasilania, nawet do Osś V - 13 v haca przy różnych nafaęciacb zasilania ukWi CMOS *cc nołłni dńęki unikatowej charakterystyce pnryhaowei akkada U>v 9k Nop^oc stanów H i L » «ą»w»i»omx«tOV tcusa\ a napięcie przełązzsua l-wr • t* lkv twyjafRfc    Układy serii HCT i ACT. earawmuki

m. kWcc ttnją tfa = »■» V> l>aęki temu układy CMOS mają duac maapnay zakłfec* i są odporne na zakhvcn*a nawet dU

niewielkich amplitud sygnału logicznego. Układy serii 4000B 1740 pozwuląją na pracę w szerokim zakresie naplęó zasilania 318 V i znajdują zastosowanie w waronkach dutych zakłóceń zewnętrznych.

Podstawowe paramclry układów- wybranych serii zawiera tabela 3.2.

Tabela 3.2.

Rodzina

Ucv

IV]

tp las]

fprw»

(MHzl

Oznaczę

nic

Z bramką MOŚ metalową

3- 18

125

4

4000B

4Q_

Szybkie

2-6

8

50

HC

Szybkie

tramiemukiTTL)

S

8

50

HCT

I Zaaw ansowane

2-6

-'(5.21

160(115)

AC

(AHO

[Zaawansowane i t zamienniki TTL)

5

3(52)

160015)

ACT.

(AHCT)

Niskonapięciowe

2 - 53

9

70

LV

Zaawansowane

niskonapięciowe

1.2

3.6

3

300

ALVĆ

Uwaga!

Przy montażu układów CMOS nie wolno dcrikac wyprowadzeń, natomiast we podłą:zooc wejścia bramek tuiczy zawsze dołączyć do U« lub masy. gdyż ukfcsiy są wrażhwe na branki cłeknosaryczne. Konieczce jest to mc tylko ze względu na n*epol*tane zakłócenia, de takie moiłiwok tsłowania się wejścia i przecie w stm poboru prądu i zasilacza (straty owcy —gnanie sic układu).


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
ćw2 str Ćwiczenie 2Układy budowane z elementów logicznych malej skali integracji (TTL)układy bez
30344 IMGp68 (6) 76 77 76 77 (31.21 (31.1J * corut araeetr    nnlnJy wyznaczyć, korzy
skanuj0133 (5) 276 DfcONTOLOGIA I IY( /NA Problem prawa naturalnego stanowi dziś lemat dyskusji równ
Dziawgo; Układy równań z wieloma niewiadomymi 2 76 Układy równań liniowych z wieloma niewiadomymi II
Pochodne fukcji rozniczkowalnosc strv 77 76 76 38. h (m) = 3”". 40. g (x) = V cosh x 42. Oblicz
S5008139 77 77 76 I*= 3.75A, R» = 8-8 , nieliniowe obwody prądu stałego Zadanie 2.1 Na rysunku 2.1 a
Struktura, Mocek,v 77 76 2. Morfologia gleb - zbyt mokrych ciężkich gleb ubogich w próchnicę; jest t
46224 s 76 77 76 ROZDZIAŁ 3 •    dwudziestego pierwszego roku życia w przypadku gimna
5 (77) 92 nych miejscach stanowiska, wynikające z ich różnorodnych fhnkcji (R. Schild, M. Marczak, H

więcej podobnych podstron