1tom292

1tom292



10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 586

przy czym: au — współczynnik udarowy rezystancji uziemienia. Jego wartość może być mniejsza od jedności, co zależy od rezystywności gruntu i wymiarów uziomu oraz stromości narastania di/dti wartości szczytowej 1 przepływającego przez uziom prądu. Ze wzrostem wartości szczytowej prądu zwiększa się jego gęstość J na powierzchni uziomu, a wraz z nią naprężenie elektryczne E w gruncie. Przekroczenie przez nie wartości krytycznej E„, która w zależności od rodzaju gruntu waha się w granicach kilku kV/cm, prowadzi do tzw. zjawisk wielkoprądowych, polegających na powstawaniu w gruncie, wokół uziomu, wyładowań elektrycznych (rys. 10.69a). Powiększają one niejako uziom, a więc zmniejszają rezystancję. Współczynnik y.u jest mniejszy od jedności (rys. 10.69d).

10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 586

Rys. 10.69. Właściwości uziomów: a) wyładowanie w gruncie; b) układ uziomu poziomego; c) jego schemat zastępczy; d) zależność współczynnika udaru od prądu; e) zależność napięcia od gęstości prądu i natężenia pola


Wartość współczynnika a„ wzrasta wówczas, gdy zostaje przekroczona krytyczna długość uziomu !„ zależna od długości czoła fali udarowej. Ujawniające się w tym przypadku zjawiska falowe wymagają potraktowania uziomu jak linii długiej, złożonej z odcinków o parametrach jednostkowych LG( rys. 10.69b, c). Dalej położone jego odcinki włączają się z opóźnieniem. Odprowadzenie prądu do ziemi następuje głównie na początku uziomu. Efekt jest równoważny spadkowi napięcia na reaktanejf wzdłużnej uziomu. Nie zauważa się wpływu jego krańca na wartość rezystancji. Długość czynna uziomu, równa jego długości krytycznej /cr jest skorelowana z czasem trwania czoła udaru Tj uproszczoną zależnością

/

cr


(10.123)

1 pH/m oraz G = — dla 2 Q


Dla typowych układów można średnio przyjąć: Tj = 6 ps i /,

uziomu poziomego i G = —— dla uziomu pionowego, wyrażone w Sun. Uwzględniając te 0,9 g

założenia, otrzymuje się w metrach długości krytyczne:

— uziomu poziomego l„ ss 3,2 v'o    (10.124)

— uziomu pionowego l„ za 2,1 v''<7    (10.125)

Rys. 10.70. Schemat układu pomiarowego (a) i układy elektrod przy pomiarach rezystywności gruntu (b). rezystancji uziemienia uziomu punktowego (c) i uziomu rozległego (d)

R, rezystancja uziomu badanego, Rs, rezystancja uziomu pomocniczego, St i S2 — sondy. U. napięcie uziomu badanego, Up napięcie uziomu pomocniczego, Ay i A2 — punkty przegięcia na krzywych odpowiednio w skali Xj i w skali x2> 1 — lej napięcia uziomu badanego, 2 — lej napięcia uziomu pomocniczego

Podstawę oszacowania i doboru układu uziomów stanowią wartości pomiarowe rezystywności gruntu, a sprawdzian prawidłowej realizacji takiego układu — wartości pomiarowe rezystancji uziemienia i napięć rażeniowych.

Do wykonania niezbędnych pomiarów można wykorzystać układ przedstawiony schematycznie na rys. 10.70a. W położeniu I przełącznika P„ układ ten jest przystosowany do pomiaru rezystywności gruntu 4-elektrodową metodą Wennera (rys. 10.70b). Przełączenie przełącznika P„ do położenia II daje układ 3-elektrodowy do pomiaru rezystancji uziemienia. Wartość ustawiona na potencjometrze P, włączonym w obwód prądowy źródła G, po zrównoważeniu układu (wyzerowany wskaźnik WO w obwodzie napięciowym) jest w układzie 3-elektrodowym równa mierzonej rezystancji uziemienia R,. Wartość natomiast wyznaczona w układzie 4-elektrodowym, umożliwia obliczenie rezystywności gruntu q z zależności

o = 2naR.    (10.126)

przy czym: a — odległość między elektrodami.

Zależność ta jest słuszna wówczas, gdy grunt jest jednorodny. W przypadku gruntów uwarstwionych obliczenia znacznie się komplikują.

Im większa jest odległość a między elektrodami, tym większy wpływ na wynik pomiaru mają warstwy gruntu położone głębiej. Przy pomiarze rezystywności gruntu są wystarczające odległości kilku metrów, natomiast przy pomiarach rezystancji uziemienia niezbędne jest oddalenie sondy i uziomu pomocniczego na odległość zapewniającą występowanie na krzywej rozkładu napięcia, w otoczeniu punktu przegięcia A (rys. 10.70c) odcinka poziomego o potencjale względem ziemi odniesienia równym zeru. W przypadku uziomów o niewielkich wymiarach odcinek taki znajduje się w odległości ok. 20 m od uziomu. Gdy uziom jest rozległy, punkt przegięcia krzywej oddala się. W celu uzyskania na


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
1tom289 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 580 Przy ochronie urządzeń stacyjnych, a zwłaszcza uzwojeń
1tom290 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ10.5. Uziemienia w urządzeniach wysokiego napięcia10.5.1.
1tom291 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ584 Do obliczenia spadków napięcia na rezystancji podłoża Udp i
1tom293 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 588 niej nawet bardzo krótkiego odcinka poziomego wymagane były
1tom294 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 590 10.53.    PN-77/E-05118* Elektroenergetyczne
1tom251 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 504 współczynnik tłumienia określony zależnością00.1) przy czym
1tom261 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 524 (czas rozdzielczości). Przy dużej częstości n impulsów może
1tom268 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 538 Wzrost wytrzymałości przy czasach krótszych niż r,cr jest z
1tom257 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 516 daje dostatecznie duże prawdopodobieństwo, że izolacja będz
1tom252 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 506 Tablica 10.2. Związki między parametrami generatorów
1tom253 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 508 0 J0 20    30    40 cm 5
1tom254 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ .510 2.    Układ (rys. 10.9b) będący rczystancyj
1tom255 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 512 Tablica 10.4. Przekładnie i warunki stosowania dzielników
1tom256 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 514 Rejestrator cyfrowy działa na zasadzie dyskrctyzacji mierzo
1tom258 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 518 oraz (10.17) Uwzględniając, żc wartości oczekiwanej UJ0 odp
1tom259 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 520 zarówno od stanu powłoki (wysuszona, półpłynna), jak i jej
1tom260 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 522 Rys. 10.22. Mostek Schennga: a) prosty, b) odwrócony G - -
1tom262 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 526 10.2. Izolacja urządzeń wysokiego napięcia 10.2.1.
1tom263 10. TECHNIKA WYSOKICH NAPIĘĆ 528 W przypadku niejednostajnego rozkładu pola, jego natężenie

więcej podobnych podstron