IMG13

IMG13



5.2.7. Wzrost dendrytyczny

Wzrost komórkowo-dendrytyczny jest w pewnym sensie formą przejściową między wzrostem komórkowym, który stanowi ustalony wariant wzrostu przy małym zasięgu strefy przechłodzenia stężeniowego, i swobodnym wzrostem dendrytycznym zachodzącym przy bardzo dużym zasięgu przechłodzenia stężeniowego. Swobodny wzrost dendrytyczny zachodzi w rezultacie odprowadzenia ciepła krystalizacji na zewnątrz od rosnącego w przechłodzony stop kryształu dzięki przewodnictwu cieplnemu cieczy. W wypadku bardzo dużego przechłodzenia stężeniowego (rys. 5. lód) w przechłodzonej cieczy mogą heterogenicznie zarodkować kryształy, których orientacja wzrostu jest przypadkowa. Przykład struktury dendrytycznej przedstawiono na rysunku 5.20.

Rys. 5.20. Struktura dendrytyczna: a) w środkowej części wlewka odlanego w sposób ciągły (stal 18G2A), b) heterogeniczne zarodkowanie dendrytów w osi spoiny przy powierzchni zewnętrznej stopu Al-4% Cu spawanego autogenicznie metodą GTAW

Cechy swobodnego wzrostu dendrytycznego są następujące:

1.    Cechuje go duża szybkość wzrostu, w przybliżeniu proporcjonalna do kwadratu przechłodzenia.

2.    Kształt i prędkość wzrostu poszczególnych dendrytów są niezależne od zewnętrznie narzuconych warunków cieplnych, a zależą jedynie od warunków lokalnych występujących w miejscu wzrostu dendrytu.

3.    Nie ma zależności krystalograficznych między sąsiednimi kryształami.

4.    Na drodze wzrostu dendrytycznego może krzepnąć tylko niewielki ułamek ogólnej ilości fazy ciekłej.

5.    Wzrost dendrytyczny może występować jedynie w czasie krystalizacji wlewków i dużych odlewów. W spoinie ze względu na trudności w uzyskaniu znacznego przechłodzenia jeziorka spawalniczego mamy przeważnie do czynienia ze wzrostem komórkowym lub komórkowo-dendrytycznym. Jedynie w wypadku spawania skoncentrowanymi źródłami energii (wiązka elektronów, laser) mogą zaistnieć wamnki do wzrostu dendrytycznego.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
IMG12 5.2.6. Wzrost komórkowo-dendrytyczny Dalszym etapem rozpadu gładkiego frontu krystalizacji w
IMG77 (13) System protekcyjny U PR W komórkach ssaków system UPR funkcjonuje poprzez: /Przejściowe
IMG48 Jamki — obszary ściany komórkowej pozbawione pokładu ściany wtórnej 1 Jpmldlcl^walc między cz
Ta książka jest w pewnym sensie kompilacją składającą się z notatek, które pozostały po ponad 4
DSC01380 WPROWADZENIE DO LEKTURY Tytuł wiersza jest w pewnym sensie streszczeniem jego problematyki.
358 [1024x768] OGNIWA GALWANICZNE 347 Elektrody oksydacyjno-redukcyjne Nazwa tego typu elektrod jest
41 (23) 76 Negocjacje pracy i płacy Negocjowanie warunków płacy jest w pewnym sensie rywalizacją. Pr
20948 Zdjйcia 0048 Wpływ temperaturyMax i min wyznacza granicę wzrostu, co me jest jednoznaczne ze ś
IMG01 (7) 5 Punkty 1/1 mechanizmem adaptacji do zimna jest a zwężenie naczyń krwionośnych skóry i w
IMG 1402224653 Uniwersalna tendencja do wzrostu stanu nieuporządkowania jest wyrażona w podstawowym
IMG13 Użytkowanie rusztowania Użytkowanie rusztowania jest dopuszczalne po dokonaniu jego odbioru&n

więcej podobnych podstron