kompatybilnosc test1

77.    Poprawę jakości płyt z elemejilami (z punktu widzenia EMI) uzyskuje się poprzez

a)    losowe rozmieszczanie elementów

b)    ekranowanie wszystkich elementów (np. w kubki)

c)    użycie odpowiednich laminatów /oj stosowanie siatek tzw. X-Y

78.    Zgodnie z zaleceniem FEC napięcie testujące wynosi w zależności od klasy <gj> 2 kV - klasa

b) 20 kV - klasa

t .1.5 kV-klasa 4 10 kV-klasa 3

79. Do zalet komór typu TEM należą:

mtóliffP# ^Y^kąnją d.użyęjinipcy

b) niski koszt

szeroia zakres pomiarowy

) korelacja wyników z wynikami uzyskanymi w swobodnej przestrzeni

80. Do wad pomiarów prowadzonych w komorach ekranowanych należą:

Śduże wymiary testowanych urządzeń

przypadkowa polaryzacja fal elektromagnetycznych w komorze brak korelacji z pomiarami przeprowadzanymi w swobodnej przestrzeni

d) szeroki zakres częstotliwości

XI

t

81. W najszerszym zakresie częstotliwości do pomiarów kompatybilności elektromagnetycznej sprzęm może być wykorzystywane stanowisko

a) w komorze ekranowanej

b) w komorze bezodbiciowej w swobodnej przestrzeniami w komorze TEM

82. Najlepszymi z punktu widzenia EMI są płytki

a) Dwustronne (B) Wielowarstwowe

c) Uniwersalne

d) z owijanymi połączeniami S3. Obudowa urządzeń

a) Nie ma wpływu na właściwości urządzenia '£) jest zasadnicza bariera przeciwko EMI

c) powinna być dielektryczna

d) musi być wyposażona w otwory wentylacyjne

84. Przewody interfejsowe i zasilania powinny być wprowadzane do obudowy a) Dowolnie

@> z zachowaniem ciągłości ekranu (ekranowania)

c) przez odpowiednie przeloty rurkowe

d) przez prostokąme otwory

&

85. Źródłem impulsów elektromagnetycznych o czasach narostu rzędu nanosekund są a) wyładowania elektrostatyczne ®) ^b.y£hvnąkJsąnie c) wyładowania atmosferyczne d) procesy łączeniowe w liniach energetycznych

86. Źródłem impulsów elektromagnetycznych o czasach narostu rzędu mikrosekund są: procesy łączeniowe w liniach energetycznych ^jadowaniaąuiiosfęty.ęgie c) wyładowania elektrostatyczne d) wybuchy nuklearne

87. Amplitudy impulsów napięcia powstające podczas wyładowań elektrostatycznych sięgają: a) 5kV

b) 50kV ci 100kV (3$) 25kV

" 88. .Amplitudy impulsów pola elektromagnetycznego powstające podczas wybuchu jądrowego sięgają wartości: a) 1 OOkV/m

b) 50kV/m

c) 25kV/m

d) 500kV/m

89. Czasy opadania impulsów pola elektromagnetycznego powstającego podczas wybuchu jądrowego są a) rzędu pikosekund kj) rzędu mikrosekund

c) rzędu nanosekund