Laboratorium Elektroniki cz II 6

110

delu) i dobrać punkt pracy tranzystora (rezystorem polaryzacji bazy) oraz ujemne sprzężenie zwrotne (rezystorem emitera) tak, żeby układ generował napięcie sinusoidalne możliwie bez zniekształceń. Dla generatora zbudowanego na wzmacniaczu operacyjnym należy nastawić odpowiednio rezystory pętli ujemnego sprzężenia zwrotnego. Zmierzyć zniekształcenia nieliniowe generowanego przebiegu w tak dobranym punkcie pracy.

3.    Dla znamionowego napięcia zasilającego zdjąć charakterystyki opisujące zależności napięcia wyjściowego oraz częstotliwości drgań od rezystancji obciążenia Uo = f(Ro)- Pomiary należy rozpocząć od nastawionej maksymalnej wartości rezystancji dekadowego rezystora obciążenia, a następnie należy zmniejszyć wartość rezystancji (aż do zerwania drgań generatora) notując kolejne punkty pomiarowe. Pierwszego pomiaru dokonać dla R₀ = «.

4.    Powtórzyć pomiary opisane w punkcie 3 dla układu, w którym obciążenie (rezystor dekadowy) będzie odseparowane od badanego generatora za pomocą wtórnika emiterowego zbudowanego na tranzystorze T₂. Rezystor obciążający, woltomierz oraz częstościomierz należy dołączyć do wyjścia wtórnika (emiter tranzystora T₂).

Uwagi

a)    Punkt 4 dotyczy tylko generatorów tranzystorowych.

b)    Ażeby ze wzmacniacza W2 (T₂) uzyskać wtórnik emiterowy, należy zewrzeć rezystor kolektorowy, a emiter tranzystora odłączyć od potencjometru R£ i połączyć z rezystorem R£.

5.    Dla nastawionej maksymalnej wartości rezystancji obciążenia R₀ zdjąć charakterystyki opisujące zależność napięcia wyjściowego generatora i częstotliwości od napięcia zasilającego: U₀ = F(U_Z), f = F(U_Z). Należy nastawić maksymalne napięcie zasilające, a następnie obniżać je aż do uzyskania zerwania drgań notując kolejne punkty pomiarowe

Uwaga

Dla generatorów zbudowanych na wzmacniaczu operacyjnym należy zmieniać zarówno +U_Z, jak i -U_z o tę samą wartość (np. o 1 V).

6.    Powtórzyć pomiary opisane w punktach 2h-5 dla kolejnych wskazanych przez prowadzącego układów generatorów tranzystorowych lub generatorów ze wzmacniaczem operacyjnym.

Mi siol

Uwaga

W tranzystorowych generatorach RC obserwuje się silne obciążenie wyjścia prze-suwnika fazowego lub obwodu podwójne T rezystancją tranzystora wzmacniającego. W celu uniknięcia tego efektu można zbudować część wzmacniającą generatora tak, żeby składała się ona z wtórnika emiterowego (zbudowanego na tranzystorze T2) jako stopnia wyjściowego i wzmacniacza właściwego pracującego w układzie ze wspólnym emiterem (na tranzystorze Ti). W wyniku uzyskuje się wzmacniacz o zwiększonej rezystancji wejściowej, który nie obciąża wyjścia czwórnika sprzężenia zwrotnego.

7.    Zdjąć amplitudową charakterystykę częstotliwościową otwartej pętli wybranego układu generatora tranzystorowego. Układ wzmacniacza tranzystorowego W2 (na tranzystorze T2) należy połączyć tak, by stanowił strukturę identyczną z układem wzmacniacza W1.

Wejście wzmacniacza W1 należy wysterować z zewnętrznego generatora funkcyjnego. Do wyjścia wzmacniacza W1 dołączyć wejście czwórnika sprzężenia zwrotnego, a do wyjścia tego czwórnika dołączyć wejście wzmacniacza W2 Woltomierz mierzący napięcie wyjściowe układu dołączyć do wyjścia czwórnika sprzężenia. Zmieniać częstotliwość napięcia sterującego, mierzyć napięcie wejściowe i wyjściowe układu oraz częstotliwość.

Uwaga

Badana otwarta pętla generatora pracuje tu w warunkach normalnego obciążenia wyjścia czwórnika sprzężenia zwrotnego rezystancją wejściową czwórnika wzmacniacza.

8.    Dla częstotliwości pozornego rezonansu f₀ zmierzyć tłumienie wprowadzane przez czwórnik sprzężenia zwrotnego w warunkach, gdy:

a)    czwórnik jest obciążony obwodem wejściowym wzmacniacza W2,

b)    gdy wejście czwórnika jest nieobciążone.

⁴-6. Tematy do opracowania

¹ Częstotliwość zmierzoną przy znamionowym napięciu zasilającym i przy Ro = ⁰⁰ porównać z częstotliwością obliczoną na podstawie danych schematowych według wzorów podanych w tablicach 4.1 i 4.2. Wyjaśnić rozbieżności.