A)
d Y dx
2 m
d2V
dx2
2 m h2
C)
d2V 2m
dx2 h2
[e- {/(*))¥ D)
d2V
dx2
2m_
fi2
gdzie e - ładunek elektryczny elektronu, n - koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa, p koncentracja dziur w paśmie walencyjnym, \ic - ruchliwość elektronów w paśmie przewodnictwa, |ih ruchliwość dziur w paśmie walencyjnym.
6. Wokół płaskiej jednorodnie naładowanej warstwy o ładunku powierzchniowym c połę elektryczne jest:
A)Jednorodne o natężeniu w przybliżeniu równym E=o/(2eoX (^Jednorodne o natężeniu E= a/(2£q),
C) Jednorodne o natężeniu równym E=a/eo,
D) Jednorodne jedynie w nieskończoności.
7. Moment bezwładności bryły wyrażony jest zależnością:
A) / = | r2dr B) / = } rj r2dm
C) / = J r dm (p)) I = j r2dm
8. Układ z liczbą stanów G składający się z N cząstek jest układem niezwyrodniałym jeżeli
N N ćt\N N
A)— >> 1 B)— >1 ©7<<l D) ~ = 1
G
G
G
9. Prawo Gaussa dla pola magnetycznego ma postać:
B
A) $ b,s ~ j £ H ds = 0 - Linie sił natężenia pola magnetycznego są krzywymi zamkniętymi,
b s
$ n,s = B ■<% - P o . Linie s\\ ;
s
indukcji magnetycznej są krzywymi łączącymi bieguny
jednoimienne, zatem dowolną powierzchnię zamkniętą obejmującą biegun magnetyczny będzie przebijać zawsze pewna liczba linii indukcji wchodzących i wychodzących zależna od właściwości magnetycznych otaczającego ośrodka,
s
C) ^ b,s ~ ^ - Linie sił indukcji magnetycznej są krzywymi zamkniętymi, zatem
dowolną powierzchnię zamkniętą obejmującą bieguny magnetyczne północny i południowy będzie przebijać zawsze liczba linii indukcji zależna od powierzchni s,
(D^ ^ B,S “ f B ds - 0 _ ynje sj{ indukcji magnetycznej są krzywymi zamkniętymi, zatem
dowolną powierzchnię zamkniętą obejmującą biegun magnetyczny będzie przebijać zawsze jednakowa liczba linii indukcji wchodzących i wychodzących.
10. Jeżeli przez Ev oznaczymy energię aktywacji potrzebną do wytworzenia luki w defekcie Schottkyłego to w temperaturze T koncentracja luk nv wyraża się wzorem:
(Aynr = /?exp(- EJkT)
B) = nexp(- nEv/kT)
C) nv = nkT exp(£l. / kT)
D) nr - «exp(- kT/Ev)