skanuj0295 (4)

Istnieją dwa główne typy dyslokacji:

a) Dyslokacje krawędziowe (rys. 2.152). Półpłaszczyzna sieciowa kończy się w masie kryształu i jest wepchnięta między dwie płaszczyzny tej samej rodziny. Defekt jest zlokalizowany wzdłuż linii stanowiącej krawędź półpłaszczyzny.

Rys. 2.154. Schemat ilustrujący rolę dyslokacji śrubowych we wzroście kryształów

Rys. 2.155. Schemat spirali wzrostu kryształu parafiny C₃₆H₇4 według zdjęcia w mikroskopie elektronowym (Dawson i Yand)

b) Dyslokacje śrubowe (rys. 2.153). Wokół linii dyslokacji płaszczyzny sieciowe nie są dokładnie płaskie, lecz są skręcone w spiralę, której skok jest rzędu wielkości parametru sieciowego w kierunku linii dyslokacji.

Dyslokacje śrubowe odgrywają ważną rolę w procesie wzrostu kryształów. Ułatwiają one znacznie utrwalanie się atomów lub cząsteczek na rosnących ścianach, dostarczają bowiem miejsc korzystniejszych energetycznie niż ściana płaska (rys. 2.154 i 2.155).