P1000131 (2)

1.3.3. Domieszkowanie

Liczbę ruchomych nośników w krysztale można znacznie powiększyć przez wprowadzenie domieszki obcych atomów, które posiadają o jeden elektron walencyjny więcej lub o jeden mniej od atomów półprzewodnika. W ten sposób regularna struktura kryształu ulega zaburzeniu. Powstaje miejsce nazywane defektem. Wprowadzanie obcych atomów nazywa się domieszkowaniem.

Domieszkowanie:

•Półprzewodniki typu N    f - £ - £ -    .

t    »    *®    t    »    •

•    t    •    i    i

I    t    «    »    •    t

i    i    »    >    •

*    •    *    •    *

•Półprzewodn*! typu P