skan 11

Dwuwymiarowy model struktury tranzystora bipolarnego typu npn

kontakt ■	£ • emiter - N j?	. B. •' > baza - P ;>•	'kolektor - N
emitora M
^1		yję >'<	^_j

pp. domieszkowany o przewodnictwie typu n

Domieszkowanie

E — najsilniej B -silniej C - najsłabiej

Podstawowe znaczenie dla działania tr mają zjawiska zachodzące w b. cienkiej B.

K

. źródło nośników ładunku, emituje nośniki

zbiera ładunki

steruje przepływem ładunku

B    E

Efekt tranzystorowy polega na przechwytywaniu przez C większości elektronów wstrzykiwanych z E do B. (elektrony w obszarze B są ładunkami mniejszościowymi)

Ponieważ grubość B wynosi 0,1... 1pm i jest« drogi swobodnej dyfuzji nośników ładunku (tu: elektronów)« 10...100 pm, to zdecydowana większości wstrzykniętych z E do B elektronów dochodzi do złącza C i jest "odsysana" przez jego kontakt Dąży się, aby strata wstrzykniętych elektronów w obszarze B była minimalna.

Oznaczanie napięcia na tranzystorze

Polaryzacja złączy tranzystora npn w ukł. wzmacniacza

B L

U_c -napięcie na elektrodzie C względem masy

napięcie miedzy elektrodami B i E

zł. kolektorowe (B-C)jest spoiaryzoware zaporowo

Zł. emiterowe (E-B) .. w kier. przewodzenia

(15... 150 V) (setki mV)