spektroskopia060

120

Rys. 74. Fotoluminescenga InP w temperaturze 6 K [39]

Rys. 75. Widma fotoluminescencji GaP w temperaturze 1,6 K przedstawiające izolowane linie par oraz szerokie pasmo dla przejść donor-akceptor S —Si oraz Te —Si. Podano numery niektórych par [40]

Energia rekombinacji par donor-akceptor wyraża się zależnością

dap = E_g-(E_A + E_D)+ę,    (11.16)

gdzie: E_A, E_D — energia jonizaq'i akceptora i donora, r — odległość między donorem i akceptorem, e — stała dielektryczna.

Rysunek 75 ilustruje widma fotoluminescencyjne w zakresie przejść rekombinacyjnych donor-akceptor. W obu przypadkach akceptorem jest krzem na miejscu fosforu, a donorem siarka — dla górnej i tellur — dla dolnej krzywej.

Szerokie maksimum energii odpowiada odległościom między domieszkami rządu 50 A. Zanik fotoluminescencji odpwiada odległościom rzędu 200 A.

Pobudzenie defektu, np. domieszki, wiąże się ze zmianą jego stanu elektronowego. W wielu przypadkach, zwłaszcza dla głębokich defektów, energia defektu silnie zależy od lokalnej deformacji sieci krystali-znej. Silna lokalizacja funkcji falowej elektronu powoduje, że niewielkie nawet przesunięcia atomów zmieniają energię układu. Ilustruje to

f

AE_t

Rys. 76. Diagram konfiguracyjny; hw_a — energia fotonu absorbowanego, hco_t — energia fotonu emitowanego, AQ — deformacja sieci związana ze wzbudzeniem defektu, AE_T — energia niezbędna do wzbudzenia defektu na drodze termicznej