Δ (ΔEśr)=[½ (ΔE ]²+ ΔE 2²/2)] ½
Δ (ΔEśr)=[½ (0.1199-0.1198)] ½ = 0.0071 [eV]
ΔEśr =55.01 *10 -21± 2.09*10-21 [J]
ΔEśr =0.3462 ± 0.0071 [eV]
Wnioski i uwagi.
Przeprowadzając ćwiczenie mogliśmy naocznie stwierdzić zależność pomiędzy temperaturą , a rezystancją termistora. Zmiana temperatury wywoływała zmianę rezystancji. Wyznaczona wartość szerokości przerwy energetycznej (ok. 0.3462 [eV]) jest charakterystyczna dla materiałów półprzewodnikowych , co utwierdziło nas w przekonaniu , że badany termistor jest istotnie elementem półprzewodnikowym . Błędy , które mogły wystąpić wynikały przede wszystkim z niedokładności przy odczycie temperatury . Metoda pomiaru , choć czasochłonna , pozwala wyznaczyć z dużą dokładnością wartość energii aktywacji półprzewodników. Na wartość błędu wpływa tylko dokładność przyrządów pomiarowych , jakie wyznaczają temperaturę i opór . Na wykresie nie zaznaczono błędu pomiaru rezystancji , aby nie zmniejszyć jego czytelności . Gdyby termometr, zastąpiono przyrzadem o większej czułości i dokładności oraz gdyby reagował szybciej na zmiany temperatury można by wyznaczyć E z większą dokładnością . Wpływ na dokładność miałoby także zmniejszenie odległości między termometrem , a termistorem.