10931249q6045861843438f72421251063462818 n
10. Zależność potencjału elektrody jonoselektywnej A od aktywności jonu a, jest opisana równaniem E |mV] = 220 +59log(aj + 10'5), zaś dla tetrody B równaniem E|mV| = 330 + 29.5log<aj+ I04). Wskaż zdanie prawdziwe:
a) elektroda A ma większą czułość i wyższy’ limit detekcji
b) elektroda A ma większą czułość i niższy limit detekcji
c) elektroda A ma mniejszą czułość i wyższy limit detekcji
d) elektroda A ma mniejszą czułość i niższy limit detekcji
11 W uiiki. ni ari:ili/\ woltampcromctryczncj jest rejestrowany w postaci Tali lub piku
woltampcrogram. Jest to: |||||||
a) zależność mierzonego prądu dyfuzyjnego od stężenia
b) zależność mierzonego prądu dyfuzyjnego od napięcia polaryzującej!#™
c) zależność potencjału elektrody wskaźnikowej (siły elektromotorycznej) od stętua dl zależność przewodnictwa elektrycznego od stężenia
12. Elektrolit podstawowe ma na celu eliminacje prądu:
a) dyfuzyjnego
b) migracyjnego
c) kinetycznego
d) pojemnościowego
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
nofakowa2 10. Zależność potencjału elektrody jonoselektywnej A od aktywności jonu sjest opisana równ10906514?4567069943683x5375353830889609 n 10. Zależność potencjału elektrody jonoselektywnej A od ak338 (6) 0 Rys. 14.15. Zależność potencjału elektrochemicznego stali od zawartości chromu (A.P.IMG86 a)0,20 Temperatura, °C Rys. 8.10. Zależność wielkości ziaren w SWC od: a) temperatury i szybkP1050686 * ELEKTROGRAWIMETRIA, ELEKTKOGRAFIA I KUŁOMETRM Z8Z 1,00-10 * mol/1. Potencjał elektrody okZnane typy technik bezpośrednich: Techniki potencjometryczne (elektrody jonoselektywne-Znane typy technik bezpośrednich: Techniki potencjometryczne (elektrody jonoselektywne-R>c. 14.10.Zależność progowego natężenia bodźca od czasu jego trwania. Pole powicrzchm wy/nac/ooeEgzamin 1 12 13 (termin 2) 1. t Zależność wektora położenia ciała od czasu dana jest wzorem: r(t)egz po?łym roku U +t.2t-11!. Oblicz «l) Zależność wektora położenia ciała od czasu dana jest wzoremp13506 Picture6 86 gdzie: Ef+y E,_) - potencjały elektrod dodatniej i ujemnej, z których jedna jestOpór elektryczny zależy od materiału z którego jest wykonany. Złoto, miedź, aluminium jest lepszymdioda4 diody gd (2p) m jgtó; iS 10. Dioda półprzewodnikowa jest opisana równaniem Shockley a z paramdioda1 10. Dioda półprzewodnikowa jest opisana równaniem Shock!ey a z parametrami 7^=8 pA, tj=1 i prwięcej podobnych podstron