36278 ScannedImage 15

36278 ScannedImage 15



Cienkowarstwowe ogniwa z krzemu amorficznego (a-Si)



•Cienkiej (20...50mm) warsfo*/ krzemu amorficznego (bezpostaciowego) a-Si powstają w wyniku rozkładu związków krzemu (np. silanu SiH4). naniesionego jako cienka warstwa fazy gazowej na podłoże z grafitu, ceramiki, szkła i podobnych materiałów. Pozwala tc na pokrycie dużych powierzchni podłoża (około 1m2) warstwą amorficznego krzemu, jednorodną w całym przekroju z dokładnością do kilku procent.

•Warstwy amorficzne charakteryzują się tym. że 20-kr o tnie silniej pochłaniają promieniowanie świetlne od krzemu krystalicznego.


*N3 próbkach o niewielkiej powierzchni uzyskano sprawność do 11%. długoczasowo 6-r8%.


•Współczynnik wypełnienia charakterystyki prądowo-napięctawej amorficznego ogniwa krzemowego wynosi zwykle 0.5-0J5 i zależy od kształtu krzywej l=F(U).

•grubość ogniwa 0,02-0.05 mm.

19


Teilurek kadmu CdTe Ogniwo cienkowarstwowe - Mika pm


Typ «pńm

fnkA/cni2}

FF

Hodowany 3 ivsf gaatwwj

CdSjfc-CdTe

38p

0,49

0J5O

12

Rcapyl-if-y i: «todowo 17 O.fc- CdTe

20,5

0,07

0j50

0,0

Nęylary CdTe

12,7

0,79

0 J56

7,8

Spiek aay CdS/CdT*

11,4

0,73

0^1

63

CdTa/CuitSe*

cienkowaret.

polikrystaliczny

16

CdS/CdT* c ieoikowłistsłwy o dużym ziamię

0,5*

21


Fotowoltaiczne ogniwa barwnikowe


Fotony


Sprawność 10%


23


Warstwa 7102 jest pokrywana monomołekidamą błonką półprzewodzącego barwnika na bazie rutenu Na to zostaje nałożona warstwa elektrolitu (roztworu jodu w jodkach), a następnie folia platynowa (katalizator).


»


Cienkowarstwowe ogniwa ze związków półprzewodnikowych


Dwuselenek roiedziowo-iąrfowy Cu!nSe2 z napylonym

CdS :


Ogniwo ukorzone przez na parowane próżniowe warstwy CdS na powierzchni kryształu CuinSe2 posiada.


sprawność 12%.

gęstość prądu zwarcia 38 rrWcm2, napięcie obwodu otwartego 0,49 V. wsp ołezyn n s k wp ełni en ia równy G.6.


20


Homo złączowe ogniwa GaAs/‘GaAs

o p rąd zwarć ia 286 rnĄ o napięcie obwodu otwartego 1.031 V, o współczynnik wypełnienia 0,83 o sprawność 21 %.

Heierozłączowe ogniwa GaAs/Ge

o prąd zdarcia 125 mA, o napięcie obwodu otwartego 1,152 V. o współczynnik wypełnienia 0.78 c spravdiość 20,8%

6x droższe od ogniwa wykonanego z krzemu monokrystalicznego




Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
ScannedImage 15 294 Starożytny Izrael polityką uległości i oporu. W północnym Królestwie Izraela ten
ScannedImage 15 129 CZTERECH WESZŁO IX) PARDES... rozciągnięte uad ich głowami w górę (Ez 1,22). Do
ScannedImage 15 182 ałkowicie samodzielnie, w pełnej niemal izolacji, rozwijając twórczo dawne konc
10720 Untitled Scanned 15 (11) Środo 1.    Wyciskanie* leżąc na ławce poziome) {szero
12959 ScannedImage 15 78 Religie Bliskiego Wschodu ofiar) jako dgn („zboże”) oraz w postaci przydomk
15.102014 Jednostki pochodne Układu SI Wielkość Jednostki pochodne układu
Untitled Scanned 15 V Y0 >■ V0 X- 2A-> 7- r yy c ł^» W?j
Untitled Scanned 15 52 41.    p a (q a r) —* (p a q) a r D o w ód. 16 :: 7 q/q a r =&
Untitled Scanned 15 &boOA€ oboąWi •    t (Ok^(QjCl •    /mir w(L c
ScannedImage 15 jącego bezpieczeństwo. Nigdzie też niszczycielskie i wrogie społeczeństwu aspekty re
ScannedImage 15 ROZDZIAŁ SIÓDMYEwolucja i przyszłość religii 1. Ewolucja a religia W XVIII i XIX stu
ScannedImage (15) NIWERSYTET JAGIELLOŃSKI INSTYTUT RELIGIOZNAWSTWA SKRYPTY UCZELNIANE NR 650 JAN DRA

więcej podobnych podstron