88203 Scan0018 (9)

41

elokrotnie ją przewyższyć. Od długości drogi dyfuzji zależy w znacznym stopniu napięcie owe i prąd zwarcia. ( rys. 3.5.).

a osiągnięcia możliwie długiej drogi dyfuzji niezbędna jest duża czystość elementu [przewodnikowego ( krzem monokrystaliczny ). Proces otrzymywania superczystego :emu przeprowadzany jest w wysokich temperaturach i w ekstremalnej czystości, jczęściej stosowane są metody: topienia strefowego oraz wyciągania. W dalszym etapie zbędne są chemiczne procesy czyszczące.

iniejszenie efektu refleksji uzyskuje się przez strukturyzację powierzchni ogniwa necznego. Powstałe struktury nie przekraczają 10 |im. Ich formą, zależną od konstrukcji, gą być wzniesienia lub wgłębienia w kształcie piramidy lub wyżłobienia przechodzące ez całą długość materiału. Fotony padające na podobną powierzchnię mają dodatkową żliwość absorbcji do półprzewodnika po jego poprzedniej refleksji (rys. 3.6. a,).

h v

3.6.    Zwiększenie sprawności ogniwa słonecznego przez: a - strukturowanie powierzchni

naświetlanej; b - zagłębienie siatki kontaktowej

1.6.    Increase in the solar celi efficiency by: a - structuring the irradiated surface; b - hollow of the contact grid

truktury te naniesione są najczęściej substancje antyrefleksyjne ( z dwutlenku krzemu ), które dodatkowo spełniają rolę neutralizującą ( rekombinacja ). Przeprowadzone :sy zaniżają współczynnik refleksji poniżej 5% [ 37 ]. Dla ludzkiego oka takie ;rzchnie mają kolor czarny.

a metalowa na powierzchni ogniwa słonecznego jest kompromisem pomiędzy stratami ycznymi a powstałym w jej efekcie zacienieniem. Najczęściej spotykana szerokość mdów siatki wynosi 10 |im. Niektórzy wytwórcy produkują ogniwa z siatką zagłębioną teriał półprzewodnika ( rys. 3.6. b, ). Naniesienie jej dokonuje się w procesie dyfuzji i, palladu i srebra. Wspomniane materiały i technologie ograniczają zacienianie do około 7o.