89646 Slajd15 (121)

W obszarze nienasycenia nachylenie charakterystyki czyli    jest

proporcjonalne do (l'_GS-l'_p). Napięcie dren-źródło, dla którego następuje wejście charakterystyki prądu drenu do obszaru nasycenia jest równe U_DS(ia,)=(l'_GS- l’_p). W efekcie daje to proporcjonalność prądu nasycenia drenu I_D(,_at, do (l'_GS- U_p)², czyli kwadratową zależność prądu drenu od napięcia sterującego.

Bardziej ogólne równania prądu drenu tranzystora polowego można przedstawić przy pomocy poniższych wzorów:

- dla obszaru liniowego

I_D=2k[(l _G5- U_P)IV

-dla obszaru nasycenia

I_D=k[(l_GS- Up)²

-Jeżeli różnicę (U_G5- U_p) nazwie się wysterowaniem bramki, to można na podstawie przedstawionej charakterystyki powiedzieć, że:

-    w obszarze nienasycenia (liniowym) rezystancja kanału jest odwrotnie proporcjonalna do wysterowania bramki,

-    granicą obszaru liniowego jest linia, dla której napięcie dren-źródło jest równe wysterowaniu bramki l'_D5=(l'_GS- l'_p).

-    prąd nasycenia drenu jest proporcjonalny do kwadratu wysterowania bramki.