Slajd14 (121)

Charakterystyki tranzystora potowego

Na rysunku a) przedstawiona jest c h arak te ry styka wyjściowa I_d(1'ds) tranzystora MOSFET z kanałem typu n. którego struktura przedstawiona jest na tys. na poprzednim slajdzie.

Cały obszar charakterystyki wyjściowej można podzielić na dwie części: obszar nasycenia i obszar nienasycenia (liniowy). Na rys. a) obszary te są rozdzielone niebieską linią, której kształt przypomina parabolę.

W obszarze nasycenia tranzystor połowy zachowuje się jak bardzo dobry element transkonduktancyjny. tzn. taki dla którego prąd I_D jest praktycznie stały dla różnych napięć l_D5. Natomiast dla małych wartości U_D£, czyli w obszarze nienasycenia, zachowuje się on jak rezystor, tzn. I_D jest proporcjonalny do U_re.

Oczywiście dla obu obszarów prąd drenu I_D jest funkcją napięcia bramka-źródło l'_cs. a ściślej rzecz biorąc jest funkcją różnicy (l’_GS- t'_p). gdzie l'_p jest napięciem progowym. Obszar liniowy, w którym prąd drenu jest prawie proporcjonalny do U_D£, rozciąga się od U_DS=0V do U_D£= U_D£ .._t,. Na prawo od U_D£v.₂ charakterystyki prądu drenu I_D biegną prawie poziomo.

Charakterystyki przejściowe    dla różnych typów tranzystorów

przedstawione są na rys. b).