237 (46)

— 237

Diody mikrofalowe

lecz ustępują dwu pozostałym w zakresie przewodzenia, gdyż mają największe napięcie progowe. Dlatego odpowiednio dużą czułość prądową detekcji otrzymuje się przy wstępnym spolaryzowaniu diody Schottky’ego w kierunku przewodzenia. Do podstawowych zalet tych diod należy zaliczyć małą wartość rezystancji szeregowej, mały poziom szumów własnych oraz większą stabilność pracy i odporność na wstrząsy lub udary niż dla diod ostrzowych.

Diody zwrotne    4.7.1.3

Dioda zwrotna, nazywana również wsteczną (ang. baekward diodę), jest jakby nieudaną diodą tunelową o znikomo małym prądzie szczytu. Jest to po prostu złącze p-n nieco słabiej domieszkowane niż w diodzie tunelowej. Koncentracje domieszek w obszarach P, N są tak dobrane, by poziom Fermiego był ulokowany na krawędzi pasma zabronionego. Na rysunku 4.52 porównano model pasmowy

Rys. 4.52

Energetyczny model pasmowy złącza p-n słabo domieszkowanego (a), diody zwrotnej (b), diody tunolowoj (c)

złącza p-n słabo domieszkowanego, diody zwrotnej i diody tunelowej. Przy polaryzacji diody zwrotnej w kierunku przewodzenia nie ma tunelowego prądu Esakicgo, który płynie w diodzie tunelowej. Natomiast przy polaryzacji w kierunku wstecznym — podobnie jak w diodzie tunelowej — raptownie wzrasta tunelowy prąd Zenera. Charakterystyki prądowo-napięciowe diody zwrotnej i diody tunelowej porównano na rys. 4.53.

Rys. 4.53

Porównanie charakterystyki prądowo-napię-ciowej diody zwrotnej 1 i diody tunolowoj 2