258 (46)

258

Tranzystor bipolarny

Przy jednakowym prądzie J„

nb{ty'\dyf ⁼    dryft

(5.28)

dla x = 0

(5.29)

Przy jednakowych wartościach %(()), czyli zgodnie z (5.27) — przy jednakowym napięciu U _EB

(5.30)

Jfi.dryft    n\dyf

Stąd wynika ważny wniosek, że w porównywalnych tranzystorach bozdryftowyni i dryf-towym (o jednakowych koncentracjach domieszek w emiterze i w bazie dla współrzędnej x = 0), przy jednakowych napięciach U_EB, prąd emitera jest t] razy większy w tranzystorze dryftowym.

Jeżeli chodzi o tranzystor z jednorodną bazą (bczdryftowy), to otrzymany rozkład n_b(x) z dużą dokładnością odpowiada rzeczywistej sytuacji. Liniowa zależność n_b(x) ulega tylko nieznacznej modyfikacji przy uwzględnieniu zjawiska rekombinacji nośników w bazie (rys. 5.18).

llys. 5.18

Wpływ rekombinacji w bazio na kształt rozkładu n_b(x) w tranzystorze bezdryftowym

przebieg rozkładu koncentracji nośników nadmiarowych w bazie tranzystora

Rozkład n_b{x) = const, otrzymany dla uproszczonego modelu tranzystora dryftowego, jest natomiast nieco gorszym przybliżeniem rzeczywistości. Przede wszystkim należy zauważyć, że w rzeczywistości n_h (W_B) ss 0, gdyż na krawędzi warstwy zaporowej złącza B-C nośniki są „wymiatane” do kolektora przez silne pole elektryczne, istniejące w tej warstwie. Jeżeli n_b(W_B) x 0, to zapewne w części bazy przylegającej do kolektora istnieje pew'ien gradient koncentracji nośników, a więc w tej ozęści bazy istotne znaczenie ma prąd dyfuzji. Dlatego dokładniejszy

Przypadek trzeci (unoszenie i dyfuzja). Równanie (5.14) przepisane w postaci

dryftowego otrzymuje się rozwiązując równanie prąciu (5.14) w ogólnej postaci zawierającej zarówno składową unoszenia jak i dyfuzji.

przy czym: