259 (37)

- 259

Rozkład koncentracji nośników nadmiarowych

y = % ma rozwiązanie ogólne (można je znaleźć w każdym poradniku matematyki) y(x) = e-^p‘[-|(e^p*-l) + C']

Po wyznaczeniu stałej całkowania O na podstawie warunku y (\V_B) = 0 oraz zamianie zmiennych posiłkowych na zmienne pierwotne otrzymuje się

W

qihy

[l-e

(5.31)

n_b(x) x

Rys. 5.19

Rozkłady koncentracji nośników i prądów w bazio tranzystora dryftowogo przy uwzględnieniu składowej unoszenia i dyfuzji (./„ — prąd unoszenia, «/_d — prąd dyfuzji)

Na rysunku 5.19 przedstawiono wykresy n_b (x) obliczone na podstawie tej zależności dla typowych wartości współczynnika y, tj. y = 4; 8. Na tym samym rysunku wykreślono również przebieg całkowitego prądu elektronów w bazie i jego dwie składowe dla y = 8. Przedstawione wykresy potwierdzają słuszność założenia, że prąd unoszenia przeważa zdecydowanie nad prądem dyfuzji. Tylko w niewielkim obszarze bazy sąsiadującym z kolektorem prąd dyfuzji odgrywa istotną rolę.

Uwzględniając (5.31) można uściślić zależności (5.28 do 5.30):

n„(x)

dyf

1 -e

¹¹ mJ

n_h{x)

dryft

(5.28a)

n_b (0)

dyf

¹dryft

(5.29a)

dryft

l-e-”

dyf

(5.30a)

Widać, że przybliżone zależności (5.28) do (5.30) są dość dokładne dla dużych wartości współczynnika y (y > 3).

1T