257 (41)

- 257

Rozkład koncentracji nośników nadmiarowych

Przypadek drugi (tylko dyfuzja)

(5.22)

(5.23)

przy czym G — stała całkowania, która jest równa n_h (0), a może być w'yznaczo-na z warunku n_b{W_B) « 0 (na lewej krawędzi warstwy zaporowej złącza B-G elektrony są silnie unoszone przez pole elektryczne istniejące w tej warstwie, dlatego koncentracja elektronów w tym punkcie jest, praktycznie biorąc, równa zeru).

Zatem

(5.24)

Stąd

(5.25)

lub

(5.26)

Z tej zależności wynika, że w przypadku istnienia tylko składowej prądu dyfuzji rozkład koncentraoji nośników nadmiarowych w bazie jest liniowy. Koncentrację elektronów dla współrzędnej x = 0 można wyznaczyć ze statystyki Boltz-manna

(5.27)

Porównajmy teraz rozkłady koncentracji nośników nadmiarowych w bazie tranzystora dla przypadku transportu tylko unoszenio-wego (idealizacja tranzystora dryfto-wego) i tylko dyfuzyjnego (tranzystor z jednorodną bazą”— bezdryftowy) — rys. 5.17.

1,0

0,8

0,6

0,4

ri=5    Rys. 5.17

wartościach prądu emitra

17 Przyrządy półprzewodnikowe...

Porównanie wyidealizowanych rozkładów koncentraoji nośników nadmiarowych w bazio tranzysto-

X _t rów dryftowego i bezdryftowego przy jednakowych