255 (43)

- 255

Rozkład koncentracji nośników nadmiarowych

Rys. 5.15

Najbardziej dokładny obraz zjawisk zachodzących w tranzystorze; uwzględniono prąd zerowy kolektora Icbo

a w obwodzie bazy
Ib = IrB +IrF.B+I pE—IcBO	(5.11)
przy czym: IrB —prąd rekombinacji w bazie; IrBB — prąd rekombinacji w warstwie zaporowej złącza emiter-baza; IpE — prąd dyfuzji dziur z bazy do emitera. Uwzględniając zależności (5.10), (5.11) należy skorygować wzory na wzmocnienie dla prądu stałego:
Ic Icbo «N = r ^1E	(5.12)
A Ic~IcBO Pff - / . / ^IB>^1CBO	(5.13)

Współczynniki wzmocnienia prądowego «, /? dla małych sygnałów pozostają bez zmian.

Rozkład koncentracji nośników nadmiarowych w bazie    5.4

Jest to bardzo ważny temat, który będzie służył za podstawę do wielu dalszych rozważań.

Interesuje nas rozkład koncentracji nośników w obszarze ograniczonym z jednej strony prawą krawędzią warstwy zaporowej złącza E-B, z drugiej zaś — lewą kratvędzią

Rys. 5.16

Ilustracja wyjaśniająca pojęcie szerokości efektywnej bazy Wb