• Duża ilość związków źródłowych umożliwia wytwarzanie warstw o różnych właściwościach
• Możliwości doboru prężności par źródeł: mała prężność par - mała szybkość wzrostu
duża prężność par - słaba kontrola grubości warstwy (niebezpieczeństwo) można lepiej sterować źródłami ciekłymi niż źródłami stałymi
• Słabo toksyczne związki ( TBA vs. AsH3)
• Związki źródłowe nie reagują ze sobą w niskich temperaturach
• Dobry wybór do wytwarzania półprzewodników AIIIBY
Właściwości związków metaloorganicznych:
• Związki źródłowe EH grupy są:
• lotnymi cieczami o dużej prężności par ■ nasycają gaz nośny (typowo H2)
• rozkładają się w niskich temperaturach (300°C to 500°C)
• Tri-Metylek-Gąlu: (CH3)3Ga; Tri-Etylek Galu: (CHjCH^Ga
• Związkami grupy V są najczęściej wodorki (AsH3, PH3)
• bardzo toksyczne: niebezpieczne w transporcie, przy podłączaniu i używaniu
• ich dekompozycja zachodzi w temperaturach o olc ~200°C wyższych niż w przypadku związków metalorganicznych grupy III
• poszukuje się innych związków źródłowych: Tri-Butylo-Arsen (CH3)CAsH2 (toksyczny ale ciecz)
1. W zakresie niskich temperatur szybkość wzrostu jest ograniczona przez zachodzącą na powierzchni dekompozycje ragentów
2. W zakresie temperatur, gdzie szybkość wzrostu nie zależy od temperatury wzrost jest limitowany transportem reagentów w fazie gazowej do powierzchni podłoża
3. Zmniejszenie szybkości wzrostu w zakresie wysokich temperatur jest związane z desorpcją reagentów pasożytniczymi reakcjami w fazie gazowej
900"C 700*C 600*C 500*C 425'C
MOVPE (A1I1-N)
systemy epitaksjalne MOYPE
Szczelność instalacji gazowej - tlen może pogarszać jakość osadzanej warstwy Szybkie przełączanie i zmiana składu reagentów - ważne ze względu na ostre interfejsy i osadzanie cienkich warstwy
Precyzyjna kontrola przepływu reagentów, ciśnienia i temperatury jest ważna ze względu na powtarzalność i stabilność procesu
System gazowy do mieszania i pomiaru ilości gazów dostarczanych do reaktorar
Sposób dostarczania gazów i skład atmosfery gazowej określa strukturę warstwy epitaksjalnej