- 281
Charakterystyka zwrotna
Oddziaływanie zwrotne w układzie WE jest silniejsze niż w układzie WB, gdyż — jak stwierdzono wyżej — część napięcia UCE polaryzuje złącze E-B.
Większość parametrów' statycznych są to wielkości ograniczające dozwolony obszar pracy aktywniej tranzystora. Interesujące jest pokazanie tych ograniczeń na polu charakterystyk wyjściowych, co uczyniono na rys. 5.36 dla układów' WB i WE.
kmax
0 UcB0max 0 U CES UCEmnxUCEOmax
Rys. 5.36
Ograniczenia dozwolonego obszaru pracy aktywnej tranzystora, pokazane na polu charakterystyk wyjściowych dla układu WB (a) oraz WE (b)
I i-ł
Wiadomo już z poprzednich rozważań, że zakres aktywny jest ograniczony „od dołu” odcięciem, a „z lewej strony” — nasyceniem. Teraz wprowadzamy trzy nowe ograniczenia (dopuszczalna moc admisyjna, prąd i napięcie maksymalne), które łącznie z dwoma poprzednimi określają dozwolony obszar pracy aktywnej tranzystora.
Można zatem wymienić następujące istotno parametry statyczne:
— moc admisyjna Pa,
— prąd maksymalny ICmax-
— prąd zerowy (granica między zakresem aktywnym i odcięciem),
— napięcie maksymalne,
— napięcie nasycenia UCE{sa0 (tylko dla układu WE).
Parametrem statycznym jest również współczynnik wzmocnienia prądowego <xN lub flN, który omówiono wrcześniej.
Moc admisyjna Pa określa maksymalną wartość iloczynu prądu przez napięcie stałe, przy którym tranzystor może pracować w sposób długotrwały. Krzywa mocy admi-syjnej na polu charakterystyk wyjściowych jest hiperbolą I = PJU. Zagadnienie mocy rozproszonej w tranzystorze rozpatrzymy dokładniej w' p. 5.12.3.
Prąd maksymalny ICmax jest ograniczeniem wynikającym najczęściej nie z nadmiernej ilości ciepła rozpraszanego w tranzystorze, lecz ze zmian współczynnika wzmocnienia prądowego (a lub /? maleje dla dużych prądów emitera, a więc i dla dużych