275 (36)

- 275

Praca nieliniowa statyczna

w tranzystorze z jednorodną bazą niż w tranzystorze dryftowym, dlatego wyjaśnimy je najpierw na przykładzie tego pierwszego tranzystora. Na rysunku 5.31a przedstaMÓono rozkłady koncentracji nośników nadmiarowych w bazie tranzystora bezdryftowego dla dwu różnych wartości napięcia baza-kolektor, tj. V'_CB

Rys. 5.31

Wpływ modulacji ofektywnej szerokości bazy (zjawiska EarIy’ego) na pracę tranzystora bezdryftowego: a) zmiany prądu I_E przy U_EB = const; b) zmiany napięcia U _EB przy I_B = — const

i U'_C'_B, przy czym \U'Ć_B\ > |U'_CB\. Rozkłady koncentracji elektronów w bazie, oznaczone na rys. 5.31a cyframi 1, 2, wykreślono przy założeniu, że V_EB = const, co oznacza stałość koncentracji elektronów na początku bazy. Na końcu bazy (na krawędzi warstwy zaporowej złącza baza-kolektor) koncentracja elektronów jest równa zeru (silne „wymiatanie” elektronów). Ponieważ szerokość warstwy zaporowej złącza B-G zmienia się w funkcji napięcia U_CB, zmienia się również efektywna szerokość bazy. Powoduje to oczywiście zmiany gradientu koncentracji nośników, a więc zmienia się prąd emitera, który jest prądem dyfuzji proporcjonalnym do gradientu koncentracji nośników. Zgodnie z rys. 5.31a wzrost napięcia \U_CB\ powoduje zmniejszenie efektywnej szerokości bazy, przeto wzrasta gradient koncentracji elektronów (przy stałym napięciu U_EB), czyli wzrasta prąd emitera. Jeżeli zatem rodzinę charakterystyk wejściowych (rys. 5.29)

I8‘