318 (37)

318 (37)



- 318


Tranzystor bipolarny

większą dokładność w zbiorze rozpatrywanych wariantów. Nic ogranicza to bynajmniej możliwości dalszego rozwijania tego modelu, co jest szczególnie celowe w przypadku tranzystorów pracujących w zakresie bardzo dużych częstotliwości (powyżej kilkuset megaherców). Zachodzi wówczas konieczność uwzględniania pojemności oprawki, indukcyjności doprowadzeń, dokładniejszego zapisu generatora prądowego (z uwzględnieniem tzw. „nadmiaru fazy”, o czym będzie mowa w p. 5.10.1.1) itp.

Istotnym zagadnieniem jest określenie zakresu częstotliwości, w jakim dany model zachowuje zadowalającą dokładność. W związku z tym często można spotkać określenia: model dla małych, średnich, bądź dużych częstotliwości. Takie określenia nie poparte danymi liczbowymi są enigmatyczne, gdyż nie pozwalają sic zorientować, jakie są to w istocie zakresy. Dla lepszej ilustracji tego zagadnienia rozpatrzmy przykład liczbowy przedstawiony na rys. 5.62 (wszystkie konduk-tancje zamieniono na odpowiadające im rezystancje).

Model ,.hvbrvd


Rozważmy przy jakich częstotliwościach można pominąć elementy reaktancyjne? Są one określone przez stałe czasowe obwodów rb.e, Gb,e oraz rb,cGb,c

/. =


1


1


2-xrb.eGb,e 2tt • 500 • 200 • 10'


1,6 MHz


h =


1

2TtTbrcGb


1

i2:r; 2 • 10® • 10 • lb~12


8 kHz


Dla częstotliwości poniżej 8 kHz można zatem pominąć obie pojemności. W ten sposób otrzymuje się model, który nazwano ,,quasi-statycznym”, a równie dobrze można go traktować jako model dla zakresu małych częstotliwości, rozumianego jako 0 < / < 8 kHz. W zakresie 8 kHz < / < 1,6 MHz należy uwzględnić pojemność Cb.c (można jej nie brać pod uwagę, jeżeli w ogóle rezygnuje się z uwzględnienia zjawiska sprzężenia zwrotnego; nie miałoby natomiast sensu uwzględnianie rb,c przy pominięciu Gb,c; uzasadnione jest raczej postęps-wanie odwrrotne, czyli uwzględnianie Gb,c, przy pominięciu rb.c), można natomiast nie brać pod uwagę pojemności Cb.e. Otrzymany w ten sposób model uproszczony można by nazwać modelem dla zakresu średnich częstotliwości. Dla/ ^ 1,6 MHi nie można pomijać żadnej pojemności i pełny model można by nazwać modelem dla zakresu dużych częstotliwości. Ten przykład ilustruje, że pojęcia małej, średniej, dużej, czy bardzo dużej częstotliwości mogą mieć różny sens w odniesienia do różnych modeli.

Bardzo ważnym zagadnieniem jest metodyka wyznaczania parametrów' modelu „hybryd Ti”. Temat ten omówimy po rozpatrzeniu częstotliwości granicznych tran zysk


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
IMG 84 (8) Uzyskana większa dokładność metody w porównaniu z metodą, w której sowano losowanie zwrot
IMG13 (5) » Przypadek z biedami losowymi (średnia w utoną) ■ pomiary o większe) dokładności są ważn
318 K. Palucha nabywcy, stąd i większa wartość zakupów, ale mniejsza ich ilość, silniejsze związki
Gałdowa10 cząstkowych do systemu tych całości w porządku poznawania gwarantiye większą dokładność op
IMG13 (5) » Przypadek z biedami losowymi (średnia w utoną) ■ pomiary o większe) dokładności są ważn
276 (42) - 276Tranzystor bipolarny przetnie się linią stałego napięcia (U Ea = const), to większym n
288 (37) - 288Tranzystor bipolarny Nałoży wyraźnie podkreślić że żaden z omawianych mechanizmów prze
306 (37) - 306Tranzystor bipolarny Rys. 5.54 Trzy sieci równoważne równaniom: impedancyjnym (a), hyb
312 (37) - 312Tranzystor bipolarny struktury schematu zastępczego. Należy tu zwrócić uwagę na niezas
318 (24) Z lewej i poniżej: Większość żołnierzy batalionu Wehrmachtu z 1058 pułku uciekła. Te k
Zdjęcie1208 *, ItO/KI 1
pomiarowy (-40°C - 150°C) oraz większą dokładność (± 1.0°C). Jednocześnie układ zapewnia funkcje
M Feld TBM606 606 13. Projektowanie procesu technologicznego części klasy koło zębate nia jego więks
Photo0009 rodzaju pompy (wyróżnika szybkobieżności) i dokładności wykonania (im większa dokładność,
charakteryzują się większą dokładnością wymiarową i większą gładkością powierzchni niż formy
się o AU. Im większe będzie wzmocnienie tego rzeczywistego układu, z tym większą dokładnością napięc

więcej podobnych podstron