Przy M, = y i zależność (8.19) upraszcza się
(8.20)
n r- i = fo
2(/|—/*)
gdzie df — całkowite pasmo przepuszczania stopnia w obie strony od częstotliwości rezonansowej ft.
Obliczając Q z wzorów (8.18) i (8.19) i przyjmując wartość odpowiadającą założonej selektywności oraz współczynnik zniekształceń częstotliwościowych, określa się indukcyjność L oraz C obwodu.
We wzmacniaczach z lampami mającymi siatki ekranowe R,ytj jest tego samego rzędu, co R„.yj: dlatego też w stopniach lampowych wzmocnienia selektywnego stosuje się zazwyczaj bezpośrednie włączenie obwodu rezonansowego w obwód sprzężenia międzystopniowego (rys. 8-2la). Natomiast w tranzystorowych wzmacniaczach w celu dopasowania oporności wyjściowej stopnia poprzedzającego do oporności wejściowej stopnia następującego, co jest konieczne w celu uzyskania największego wzmocnienia, stosuje się transformatorowe lub autotransformatorowe włączenie obwodu (rys. 8-24b i c). Niezbędną przekładnię transformatora lub autotransformatora n = io2/oju pomijając wpływ czynnej oporności uzwojeń określa się z zależności
n = ‘ (8.21)
Wejściową i wyjściową wartość oporności tranzystorów, podstawianą do wzoru (8.21) znajduje się dla częstotliwości f0 oraz stosowanych sposobów włączenia. Jeżeli w układzie znajdują się oporności bocznikujące obwód wejściowy tranzystora, to do zależności (8.21) jako R.,i podstawia się wypadkową oporność wejściową stopnia.
Straty energii na indukcyjności obwodu są zazwyczaj dużo większe niż na pojemności i dlatego dobroć Q obwodu równoległego można w praktyce przyjmować za równą dobroci QL cewki indukcyjnej. Stąd oporność rezonansową obwodu Rr można obliczyć podstawiając wartość dobroci cewki Q(..
Rt = <"i,LQ = i'itLQL (8.22)
Wraz ze zwiększeniem Rr wzrasta oporność rezonansowa obwodu sprzężenia międzystopniowego R, a więc wzrasta również współczynnik wzmocnienia stopnia selektywnego. Jednakże w celu zwiększenia Rr jak to wynika z (8.22), należy zwiększyć dobroć cewki indukcyjnej Q,, co jest związane ze wzrostem jej wymiarów, ciężaru oraz kosztu. Dlatego też w praktyce wybiera się zazwyczaj wymiary, ciężar oraz koszt cewki, wychodząc z ekonomicznych i konstrukcyjnych założeń oraz zadowala się takim wzmocnieniem stopnia, jakie się przy tym otrzymuje.
Obliczanie dobroci cewek indukcyjnych jest podane w literaturze specjalistycznej: na przykład cewek dla częstotliwości radiowych w L20, str. 148... 164, cewek małej częstotliwości z rdze-hiem ferromagnetycznym — L24, str. 115 ... 126.
Tablica 8.1
—*- Częstotliwość rezonansowa f. |
Dobroć cewki Ol |
Najlepszy materiał na rdzeń | |
bez rdzenia ferromagnetycznego |
z rdzeniem ferromagnetycznym | ||
0,1... 1 kHz |
_ |
4... 20 |
permaloj |
1 ... 10 kHz |
— |
10... 50 |
ferryt |
10 ...100 kHz |
— |
30.150 |
ferryt |
0,1... 1 MHi |
20..100 |
100...300 |
ferryt |
1 ... 10 MHz |
50...150 |
100...250 |
Żelazo karbonylko- |
wc | |||
10 ...100 MHz |
100...250 |
— |
Dla praktycznych obliczeń stopni wzmocnienia selektywnego przedstawiono tablicę 8.1, w której podane są orientacyjne wartości dobroci cewek indukcyjnych małych wymiarów w szerokim zakresie wartości częstotliwości rezonansowej /o.
Wartości indukcyjnoścl l pojemności obwodu niezbędne w celu otrzymania założonych charakterystyk stopnia obliczymy podstawiając do wzorów na dobroć obwodu sprzężenia międzystopniowego Q wartość R, a następnie i RŁ z (8.22), oraz rozwiązując wynik względem L:
Q = ^ _ firn Rk _ Rm Mg LQl
(8.23)
c°o QQl
C =
1
w* Ł o
Tutaj przez Rm oznaczono oporność obwodu sprzężenia międzystopniowego, równej oporności równoległego połączenia oporności elementu wzmacniającego stopnia selektywnego oraz oporności
431