62 (108)

Rozdział 2 71

żadnej aparatury (nawet mikroskopu) opatentowana przez nas metoda nagrzewania próbki zbieżnej w kierunku wzrastającej grubości (rys. 2.10). Miarą absorpcyjności jest w tym przypadku największa grubość próbki przetopionej na wskroś, co można zmierzyć za pomocą suwmiarki. Próbki zbieżne mają dodatkową zaletę; na jednej próbce można uzyskać całą gamę struktur odpowiadających różnym szybkościom przetapiania i oziębiania.

Rys. 2.10. Schemat określania absorpcyjności za pomocą próbk zbieżnej

2.56.    Co to jest implantacja jonów?

Implantacją jonów nazywa się obróbkę powierzchniową polegającą na wzbogacaniu cienkiej, bo dochodzącej zaledwie do kilkuset nm, warstwy w wybrane pierwiastki drogą bombardowania jonami tych pierwiastków. Istnieje także możliwość bombardowania powierzchni jonami rodzimymi. W tym przypadku pomimo niezmienności składu chemicznego zwiększa się twardość i odporność na ścieranie i zmęczenie na skutek większego zdefektowania struktury i korzystnego stanu naprężeń.

2.57.    Jak jest zbudowany i działa implantator?

Implantator jest komorą próżniową (ok. 1CT⁶ hPa), w której znajduje się źródło jonów (wytwarzające pary danego pierwiastka), układów przyspieszania jonów (wstępnego i dodatkowego), elektromagnetycznego separatora jonów (który eliminuje jony niepożądane o innej masie) i układu odchylającego pozwalającego na przemieszczanie wiązki jonów. Pary pierwiastka ulegają jonizacji i doznają przyspieszenia w polu elektrycznym od kilku KeV do kilku MeV i z dużą energią bombardują powierzchnię elementu umieszczonego na drodze wiązki jonów, wnikając w głąb i wywołując przy tym zniekształcenie struktury, a także generując różne defekty. Implantatory pozwalają na wprowadzenie w bombardowaną powierzchnię dawek jonów dochodzących do 10¹⁸ jon cnf\