DSCN1469 (2)

K>v OjłMK/rtM cbsrarw Vś*jy%-mi • /łlrojr afcfywwym

I

/„    0 Związek tego pr^lo ze znanym ju>. prądem

(5M)

c*o

/miri/cne pt/y o*-*,nyn, ,** *«""    "t*" £!

Winmrk njiyccnu /„ P. > /_c »'^ P">    “ ZS&T

„.W w,rl*tci pedSw /„ . /,-    ł«^h micfłooo .o M*<*

Maksymalny pr;,d kołcktom /

IV*J maksymalny jest o^fH7. C/cmcm »ynib)^c)m <^io z rudra»cmcj iloici ciepła wydzielane -go v* tran/) storze (jego wano<C je*« ni/ vuno« wynikająca /. równania hiperboli mocy admisyj-ncj>. lec/ ze zmian współczynnika wzmocnienia prądowego p₀ W przypadku dużych prądów kolektora na-uępgjc bowiem spadek współczynnika w/mocnienia prądowego do wartości nie akccptowan>vh w zastosowaniach tranzystora.

Mjkv»riialnc napięcie kołckfor-cinitcr U_C9mu Ograniczenia nuLssnulaysli

Mannic i napici polary/*cji (/_ff traiuyslotów m spowodowane zjawiskiem

pr/cłwria. Wyrtępują itonc rodzaje pr/cbw.⁴. Przebicie Zenera docyc/y /Mc/y cimer hiu. gdyż m k> z>K/-z *«lnie domieszkowane o napięciu pr/ebku nwarjszym niz 6 V Przebicie skreKne dotyczy obszaru bizy i pMega na tym. ze wskutek ro/azer/ama sic warstwy* zapocowej zlicza baza kołcktor warstwa U „weMonie" cały obszar bazy. Wiedy to nocniki wstrzykiwane pe/ez emiter cdNcianc ^ cd razu przez kolektor i pr*d gwałtownie rodnie Przebicie tojrst możliwe lylko w tranzystorach przy cienkiej bazie lY/cbiciu lawinowemu natomiast ulegają ruje/ęścicj zł* za bazakcłektor. Mecbini/m lego przebicia został jut. wc/ciniej omówrooy (patrz rozdz. 3).

Prąd zerowy I_cr<f Pr*d zerowy /_CI0 jest to pr*d w obwodzie emiler koWk kr przy prądzie bazy 'eao jest następujący:

<Po*l)'c ku ,0 I*+S graniczny m*l*y obw^-cn, aUy^nym a obwnem „.Unia u,n-zystora

\apkcir na«cmU    Nłpkcic lucyccni* U_cl„ j«l wartemu c-pu"'

SStJSZ .„“i J«i. w r*r ;

aktywnym K../,.an,c/.. ono »cm »br» ak.y«ny J Ogólnie definiując, napięcie t/_Cf„ ** .o n***

5.6. OGRANICZENIA CZĘSTOTLIWOŚCIOWE TRANZYSTORA

częsiorItwokri Ograniczenia vpo*<d«r.*ne u    Undemac/ez,*

^H**55*V^h r ^uUjdKh wnucniac/y (b*irk o ty* mowa dale, - p*n

tys 9.7) Kcodcnsaiccy te *pt>w«_M »a podnym/nie d<Aacj cz<suxl<»«(ci

ęrann./ncj w/nv*iux/j tran/ysKw*rgo. a n* san^o cłcmrniu *Vu -nero. jakim >cvt tranzystor.

Hinlzo iuccny wpływ na wielkość motliwcj do ouumęc.a gC«wc> etęsłez tr-oki pwc/ncj układu na fakt /a&cznoui msp(4cr)ł«*ka pniowego samego tranzystor a cd częsictltwoki

IVr.w*w m nastcpaj^cc częvl«!iwt>io graoac/ne trmzysti3r«.

/. “ ezęstccliwoW. ęczy ktucej meduł wsp!kz>nraVa »/r.xnrfrAj fr*lo*c go « w konfiguracji WB nułeye o ^ dB¹'. zatem

!«^</>l    ^{ili>

/y “ częstccliwoid. przy której medeł wspókzynnika wzmocnienia pr*!owe-go p w konfiguracji WE make^r o 3 dB. zatem

IP(/)I    016)

/_f - częstotliwo^, przy kkccj tnoóol współczynnika wzmocnienia prądowego p w konfiguracji WE rówtu się jednoió. zatem

IP(/)I • 1 "/•/,    G'⁷*

tys 5 10 Ourak»nytl)iA e«ovdi«>o4CK>*a ncdukj aspArynwli wzaooMa «<X<* P ł ram*r/et*e*t fn*agl