Charakterystyki „podobne” do bipolarnych 3 wyprowadzenia (porównanie do bipolarnych)
- Zamiast bazy jest G - bramka
- Zamiast emitera jest S - źródło
- Zamiast kolektora jest D - dren Łatwe sterowanie (napięciowe lub prądowe)
Niskie straty energii - niewielki spadek napięcia S-D w stanie nasycenia
Duża rezystancja wejściowa
Małe szumy w porównaniu z tranzystorami bipolarnymi (w zakresie małych i średnich częstotliwości),
Możliwość autokompensacji temperaturowej,
Odporność na promieniowanie,
Małe wymiary powodują, że są one coraz powszechniej stosowane w układach analogowych i cyfrowych.