31116

Charakterystykę inwertora można podzielić na 5 obszarów (w zależności od tego w jakim stanie są oba tranzystory).

1-    +V_n)-.V^ <V_r.,V_JOf = 05^2.

^ e (v_B + v_n,v„):V_(a.>v_n

3.

V.6 (y„.vj:v„. >v_aSm^,v_SDr >v_SDrM «• V„^_uy_m +v_1>):V_ł<> >-v_n,v_DS, <v^

5. V„e (p„    <-V_r.,V_nSt =05V_OŁj„

Zasada działania: Gdy na wejście podany zostanie sygnał niski (logiczne 0), wówczas sygnał ten przekazany zostanie na bramkę tranzystora M„, a jego napięcie Vqs wyniesie 0.

Jest on wtedy wyłączony. Natomiast na bramce tranzystora M_p poziom 0 zostanie zanegowany (otrzymamy logiczną 1), przez co tranzystor otworzy się (pojawia się napięcie Vgs>0). Otwarty tranzystor MOS możemy traktować jako zwarcie, w związku z tym wyjście V™ zwarte jest do zasilania, V„*=Vdo czyli stan wysoki (log. 1), co stanowi negację V_to. Gdy na wejściu V|„ pojawi się stan wysoki, wtedy tranzystor M„ przewodzi, czyli zawiera wyjście V_w, do masy. V„*=Vss, czyli stan niski (log.O) co stanowi negację V„.

CharskUryst Vom ^vno.	yka przejściowa inventera:
yT*.
		[\ ^v'	J!s.
		T _ _l	1
logie *0' -►
	t i logie O’		i . VK t v» V logie ‘1*

V_IL- największa wartość napięcia wejściowego która może być reprezentowana jako logiczne”0”

V_IH- najmniejsza wartość napięcia wejściowego która może być reprezentowana jako logiczna" 1"

Pne- napięcie progowe - jest definiowane jako punkt na charakterystyce przejściowej gdzie V_ln = V_0UT. Oba tranzystory są nasycone w tym samym punkcie, więc l₀n ^{= ,}Dp-

TRANZYSTOR JAKO KLUCZ

Posiada dwa tryby: przewodzenie (nie- i nasycenie) i nieprzeowdzenie; napięcie na bramce ustalone i maksymalne. Większość tranzystorów MOS może być w trybie on i off. Dlatego może być on kluczem (switchem). Sposób działania zalczy od stosunku V(GS) i V(T)czyli progowego. Klucz z nMOSa jest on gdy V(DS)>V(TN) i na odwrót (z pMOSem). Oba klucze będąc w trybie off są w wysokiej impedancji, blokując przepływ prądu. Dlatego tranzystory te

2