41930

Pamięci służą do przechowywania informacji i udostępniania jej do dalszego przetwarzania. Informacja w postaci bitowej (jako zera i jedynki) jest zapisywana w uporządkowanym zbiorze elementarnych komórek pamięci- każdy bit informacji w osobnej komórce. Każda komórka ma określony adres. Dostęp do danych zmagazynowanych w pamięci możliwy jest poprzez ustawienie na szynie adresowej odpowiedniego adresu i odczytanie słowa 8-mio (w zależności od organizacji pamięci) bitowego z szyny danych.

• Pamięć EPROM

Są to pamięci nieulotne programowalne elektrycznie. Zbudowane są z tranzystorów typu FAMOS, w których zapis informacji następuje przez ładowanie tzw. pływającej bramki z krzemu polikrystalicznego za pomocą wstrzykiwania lawinowego nośników pod wpływem stosunkowo dużego napięcia dren-bramka. Tak zmagazynowany ładunek utrzymuje się przez kilkanaście lat. Naładowana bramka oznacza powstanie stanu przewodzenia tranzystora, a brak ładunku - stan zatkania. Rozładowanie ładunku pływającej bramki, czyli wykasowanie zapamiętanej informacji jest możliwe w procesie naświetlania struktury promieniami nadfioletowymi o dużej energii przez określony czas.

Rysunek przedstawia wyprowadzenia układu scalonego pamięci 27C256 o pojemności 256kbit.

20

22

1

A0	OO
Al	Ol
A2	02
A3	03
A4	04
A5	05
A6	06
A7	07
A8
A9
A10
Ali
A12
A13
A14
ce"
OE
VPP

27256

11

12

13

15

16

17

18 19

Opis wyprowadzeń:
A0-A14	bity adresowe
00-07	bity danych
OE	otwarcie wyjść
CE	impuls programujący
VPP	napięcie programowania

10

9

8

7

_6

5

4

3

25 24 21 23 _2

26 27

• Pamięć RAM

Pamięci tego typu nazywane są także pamięciami o dostępie swobodnym. Pamięć ta charakteryzuje się tym, że po zaniku zasilania wszystkie zapisane w niej dane zostają bezpowrotnie utracone. Ma jednak tą zaletę, że można do niej zapisywać dane, a następnie zmagazynowaną informację na bieżąco