49533

M<3

Złącze p-n

Struktura półprzewodnikowa, w której koncentracja donorów i akceptorów zmienia się tak, że w pewnym przekroju następuje zmiana typu przewodnictwa z elektronowego na dziurawe (typu p i n).

Dioda idealna

Ju=J»+J«=COnSt Jj Jd⁼Jdn'*'Jc&-^> J»⁼Ji

J_a=J* exp(qU/kT) U_T=kT/q=25mV dla T=300K J=J<rJu=J<»exp(q U/kT)-Ju, N,[exp(qU*T>1) l,=J,S

Złącze rzeczywiste:

Dodatkowo elementy nie uwzględnione w diodzie idealnej:

Rezystancja szeregowa (R,). Ma małą wartość i jest linio- wa. Rezystancja obszaru p i n poza warstwą zaporową. Polaryzacja w kierunku przewodzenia.

U_f=U„+IRs

Rezystancja upływu (R„). Na skutek zanieczyszczeń, zniekształcenia siatki krystalicznej.

Generacja i rekombinacja nośników. (Pol w kier przew)

Temperatura

Przebicie:

Powielanie lawinowe - Rozpędzone w polu elektrycznym elektrony nabierają tak dużej energii, że podczas zderzenia wybijają elektron z siatki krystalicznej. Te wybijają następne (lawinowo). Ma miejsce w złączach o dużej rezystancji (mała koncentracja domieszek) przy napięciach od około 10V- 10kV. Jonizacja elektrostatyczna (zjawisko Zencra) - W silnym polu elektrycznym elektrony są wyrwane z wiązań atomowych. Natężenie ma być lifty. W złączach o dużej konduktywności (silnie domieszkowanych). Napięcie na zaciskach ma być kilka Voltów.